[發明專利]量子點、其制造方法、量子點群、組合物、量子點聚合物復合物和包括其的顯示器件

在審

• 申請號: 202010311092.0
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN111826152A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 權秀暻;金善英;金龍郁;金智榮;張銀珠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50;G02F1/13357
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.量子點，包括：

鋅，

碲，和

硒，并且

不包括鎘，

其中所述量子點的最大發光峰存在于大于470nm的波長范圍內并且所述量子點的量子效率大于或等于10％，和

其中所述量子點包括芯和設置在所述芯上的半導體納米晶體殼，所述芯包括第一半導體納米晶體。

2.如權利要求1所述的量子點，其中在所述量子點中，碲相對于硒的摩爾比大于0.2:1。

3.如權利要求1所述的量子點，其中在所述量子點中，碲相對于硒的摩爾比小于或等于2.5:1。

4.如權利要求1所述的量子點，其中在所述量子點中，碲相對于鋅的摩爾比大于或等于0.1:1。

5.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點包括鋁、鋰、或其組合。

6.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點不包括錳、銅、或其組合。

7.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點不包括包含銦或鎵的III-V族化合物。

8.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點的最大光致發光峰波長在大于或等于480納米且小于或等于560納米的范圍內。

9.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點的最大光致發光峰具有小于或等于40納米的FWHM。

10.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子效率大于或等于20％。

11.如權利要求1所述的量子點，其中所述第一半導體納米晶體材料包括鋅、碲和硒，和所述半導體納米晶體殼包括鋅；以及硒、硫、或其組合。

12.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點包括ZnTe_xSe_1-x，其中x大于或等于0.5且小于或等于0.9。

13.如權利要求1所述的量子點，其中所述半導體納米晶體殼包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、或其組合。

14.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點在X-射線衍射分析中具有閃鋅礦晶體結構。

15.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點包括有機配體，并且所述有機配體包括RCOOH、RNH₂、R₂NH、R₃N、RSH、RH₂PO、R₂HPO、R₃PO、RH₂P、R₂HP、R₃P、ROH、RCOOR'、RHPO(OH)、RPO(OH)₂、R₂POOH、聚合物有機配體、或其組合，其中R和R'相同或不同并且各自獨立地為取代或未取代的C1-C40脂族烴基團、取代或未取代的C6-C40芳族烴基團、或其組合。

16.如權利要求1所述的量子點，其中所述量子點是不溶于水的。

17.量子點群，其包括多個如權利要求1-16任一項所述的量子點，其中多個量子點的平均圓度大于0.70。

18.如權利要求17所述的量子點群，其中所述多個量子點的平均尺寸大于或等于2納米且小于或等于50納米。

19.如權利要求17所述的量子點群，其中所述多個量子點的顆粒尺寸的標準偏差小于所述量子點的平均尺寸的18％。