[發明專利]微型發光元件顯示裝置有效
| 申請號: | 202010311051.1 | 申請日: | 2020-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN111477652B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 李玉柱;陳奕靜 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光 元件 顯示裝置 | ||
本發明提供一種微型發光元件顯示裝置,包括驅動基板及多個微型發光元件。微型發光元件配置于驅動基板上。微型發光元件包括多個第一、第二及第三微型發光元件。每一第一、第二及第三微型發光元件分別具有多個獨立控制的第一、第二及第三發光區域。一個第一微型發光元件的一個第一發光區域、一個第二微型發光元件的一個第二發光區域及一個第三微型發光元件的一個第三發光區域位于第一像素區內。另一個第一微型發光元件的一個第一發光區域、另一個第二微型發光元件的一個第二發光區域及第三微型發光元件的另一個第三發光區域位于第二像素區內。本發明的微型發光元件顯示裝置可減少微型發光元件的使用數量,以減少轉移次數并可降低生產成本。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置,且尤其涉及一種微型發光元件顯示裝置。
背景技術
隨著光電科技的進步,許多光電元件的體積逐漸往小型化發展。近年來,由于發光二極管(Light-Emitting Diode,LED)制作尺寸上的突破,目前將發光二極管以陣列排列制作的微型發光二極管(micro-LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。為了提高顯示品質,顯示器的解析度也愈來愈高。然而,高解析度代表需要更多數量的微型發光二極管從載體基板轉移至接收基板,因此轉移的過程中也較易造成良率的下降,容易使得制造成本提高。
發明內容
本發明是針對一種微型發光元件顯示裝置,其一個微型發光元件可位于多個像素區內,可減少微型發光元件的使用數量,以減少轉移次數并可降低生產成本。
根據本發明的實施例,微型發光元件顯示裝置,其包括驅動基板以及多個微型發光元件。驅動基板具有多個像素區。像素區在垂直軸線上區分為彼此相鄰至少一第一像素區與至少一第二像素區。微型發光元件配置于驅動基板上且與驅動基板電性連接。微型發光元件包括多個第一微型發光元件、多個第二微型發光元件以及多個第三微型發光元件。每一第一微型發光元件具有多個獨立控制的第一發光區域。每一第二微型發光元件具有多個獨立控制的第二發光區域。每一第三微型發光元件具有多個獨立控制的第三發光區域。一個第一微型發光元件的一個第一發光區域、一個第二微型發光元件的一個第二發光區域以及一個第三微型發光元件的一個第三發光區域位于第一像素區內。另一個第一微型發光元件的一個第一發光區域、另一個第二微型發光元件的一個第二發光區域以及一個第三微型發光元件的另一個第三發光區域位于第二像素區內。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述的第一微型發光元件、第二微型發光元件以及第三微型發光元件的數量分別少于像素區的數量。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述的每一第一微型發光元件發出藍光,而每一第二微型發光元件發出綠光,且每一第三微型發光元件發出紅光。每一第三發光區域的面積大于每一第一發光區域的面積與每一第二發光區域的面積。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述微型發光元件顯示裝置,于水平軸線上,第一微型發光元件與第二微型發光元件呈交錯排列。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述的在每一像素區中,每一第一微型發光元件的一個第一發光區域與每一第二微型發光元件的一個第二發光區域分別位于同一側邊的兩端處。每一第三微型發光元件的一個第三發光區域位于相對于側邊的另一側邊的中央處。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述的每一第一微型發光元件的第一發光區域分別位于四個像素區內。每一第二微型發光元件的第二發光區域位于四個像素區內。每一第三微型發光元件的第三發光區域位于二個像素區內。
在根據本發明的實施例的微型發光元件顯示裝置中,上述的在每一像素區中,每一第一微型發光元件的一個第一發光區域與每一第二微型發光元件的一個第二發光區域分別位于同一側邊的兩端處。每一第三微型發光元件的一個第三發光區域位于相對于側邊的另一側邊的一端處。第一微型發光元件與第三微型發光元件于垂直軸線上呈交錯排列。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





