[發(fā)明專利]一種集成斬波和自動(dòng)調(diào)零的高精度運(yùn)算放大電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010310236.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111464136B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張超;汪堅(jiān)雄;潘德方;李澤紅;孫沛東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海傳泰電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03F1/32 | 分類號(hào): | H03F1/32;H03F3/45 |
| 代理公司: | 上海怡恩專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31336 | 代理人: | 潘青青 |
| 地址: | 201101 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 自動(dòng) 高精度 運(yùn)算 放大 電路 | ||
1.一種集成斬波和自動(dòng)調(diào)零的高精度運(yùn)算放大電路,其特征在于,包括:
主運(yùn)放電路,所述主運(yùn)放電路的輸入端具有三個(gè)接入端,分別接正輸入、負(fù)輸入和反饋輸入,輸出端接運(yùn)放輸出;
直流失配調(diào)節(jié)反饋電路,所述直流失配調(diào)節(jié)反饋電路的輸入端與正輸入、負(fù)輸入相連,輸出端與主運(yùn)放電路的反饋輸入相連;
所述直流失配調(diào)節(jié)反饋電路包括依次連接的輸入低通濾波單元、第一級(jí)斬波單元、直流失配運(yùn)放單元、第二級(jí)斬波單元和斬波低通濾波單元;其中,所述輸入低通濾波單元用于濾除所述正輸入和所述負(fù)輸入傳輸?shù)母哳l信號(hào),以產(chǎn)生低頻直流誤差信號(hào);所述第一級(jí)斬波單元用于對(duì)所述低頻直流誤差信號(hào)進(jìn)行斬波,并在斬波時(shí)鐘控制下,產(chǎn)生正差分輸入信號(hào)和負(fù)差分輸入信號(hào);所述直流失配運(yùn)放單元用于放大所述正差分輸入信號(hào)和所述負(fù)差分輸入信號(hào),以產(chǎn)生正直流失配誤差放大信號(hào)和負(fù)直流失配誤差放大信號(hào);所述第二級(jí)斬波單元在斬波時(shí)鐘控制下,用于校正所述正直流失配誤差放大信號(hào)和所述負(fù)直流失配誤差放大信號(hào)的相位;所述斬波低通濾波單元用于濾除所述正直流失配誤差放大信號(hào)和所述負(fù)直流失配誤差放大信號(hào)在斬波時(shí)鐘范圍的高頻信號(hào),以輸出低頻直流失配誤差放大信號(hào),并反饋至所述主運(yùn)放電路;
所述第一級(jí)斬波單元包括第一斬波開(kāi)關(guān)S1和第二斬波開(kāi)關(guān)S2,所述第一斬波開(kāi)關(guān)S1和所述第二斬波開(kāi)關(guān)S2連接所述輸入低通濾波單元;
所述直流失配運(yùn)放單元包括兩個(gè)相同的第一運(yùn)放單元AMP1和第二運(yùn)放單元AMP2;所述第一運(yùn)放單元AMP1的同相輸入端分別與所述第一斬波開(kāi)關(guān)S1和所述第二斬波開(kāi)關(guān)S2的靜觸點(diǎn)連接,反相輸入端與所述第一斬波開(kāi)關(guān)S1的控制極連接;所述第二運(yùn)放單元AMP2的反相輸入端分別與所述第一斬波開(kāi)關(guān)S1和所述第二斬波開(kāi)關(guān)S2的靜觸點(diǎn)連接,同相輸入端與所述第二斬波開(kāi)關(guān)S2的控制極連接;所述第一運(yùn)放單元AMP1和所述第二運(yùn)放單元AMP2的輸出端均連接至所述第二級(jí)斬波單元。
2.如權(quán)利要求1所述的一種集成斬波和自動(dòng)調(diào)零的高精度運(yùn)算放大電路,其特征在于,所述主運(yùn)放電路包括第一級(jí)差分運(yùn)放、第二級(jí)差分運(yùn)放;所述第一級(jí)差分運(yùn)放包括兩個(gè)PMOS對(duì)管PM1、PM2;所述第二級(jí)差分運(yùn)放包括PMOS對(duì)管PM3、PMOS對(duì)管PM4、NMOS對(duì)管NM1和NMOS對(duì)管NM2。
3.如權(quán)利要求2所述的一種集成斬波和自動(dòng)調(diào)零的高精度運(yùn)算放大電路,其特征在于,所述PMOS管PM1、PMOS管PM2的源級(jí)連接,形成第一差分對(duì);所述PMOS管PM3、PMOS管PM4的柵極相連,形成第一電流鏡;所述NMOS管NM1、NMOS管NM2的柵極相連,形成第二差分對(duì);所述PMOS管PM1的柵極與負(fù)輸入VN相連,漏極與NMOS管NM1的源極相連,源級(jí)與PMOS管PM2的源級(jí)相連,并共同連接至電源電壓VCC;所述PMOS管PM2的柵極與正輸入VP相連,漏極與NMOS管NM2的源極相連,源級(jí)與PMOS管PM1的源級(jí)相連,并共同連接至電源電壓VCC;
所述PMOS管PM3的柵極、漏極相連,作為第一電流鏡的第一輸出端,與NMOS管NM1的漏極相連,源級(jí)與電源電壓VCC相連;
所述PMOS管PM4的漏極作為第一電流鏡的第二輸出端,源級(jí)與電源電壓VCC相連,漏極與NMOS管NM2的漏極及PMOS管PM5的柵極共點(diǎn),交點(diǎn)為第二級(jí)差分運(yùn)放的輸出;
所述NMOS管NM1的源極與PMOS管PM1的漏極相連,并共同連接至地端GND,其漏級(jí)與PMOS管PM3的漏極相連,并將PM3及NM1的連接點(diǎn)作為直流失配反饋輸入端,其柵極與NMOS管NM2的柵極相連,并連接零偏置電壓NBIAS,作為共模輸入信號(hào);所述NMOS管NM2,其源極與PMOS管PM2的漏極相連,并共同連接至地端GND,其漏級(jí)與PMOS管PM4的漏極相連,其柵極與NMOS管NM1的柵極相連,并連接零偏置電壓NBIAS,作為共模輸入信號(hào);
所述PMOS管PM5的源級(jí)與電源電壓VDD相連,其柵極與PMOS管PM4的漏極相連,其漏極與電阻R1和電容C1串聯(lián)并連接其自身的柵極,構(gòu)成補(bǔ)償電路,對(duì)運(yùn)放的單端輸出信號(hào)進(jìn)行相位補(bǔ)償。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海傳泰電子科技有限公司,未經(jīng)上海傳泰電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010310236.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
- 企業(yè)應(yīng)用集成平臺(tái)構(gòu)建方法和體系結(jié)構(gòu)
- 竹集成材折疊椅
- 高精密集成化油路板
- 一種多指標(biāo)集成試劑并行檢測(cè)任意組合集成器
- 一種多指標(biāo)集成試劑并行檢測(cè)任意組合集成器
- 一種基于響應(yīng)的高并發(fā)輕量級(jí)數(shù)據(jù)集成架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法及其系統(tǒng)
- 基于測(cè)試流程改進(jìn)的系統(tǒng)集成方法及裝置
- 一種數(shù)據(jù)映射集成的方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種便捷式電器置換集成灶
- 分體式集成灶用穿線裝置





