[發(fā)明專利]用于掃描探針顯微鏡的微型懸臂梁探針及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010306044.2 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN111413520A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王衛(wèi)杰;蘇全民 | 申請(專利權(quán))人: | 布魯克納米公司 |
| 主分類號: | G01Q60/38 | 分類號: | G01Q60/38;G01Q70/08;G01Q70/14;G01Q70/10;G01Q70/16 |
| 代理公司: | 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人: | 楊帆 |
| 地址: | 美國加利福尼亞州*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 掃描 探針 顯微鏡 微型 懸臂梁 及其 制造 方法 | ||
1.一種構(gòu)造用于掃描探針顯微鏡(SPM)懸臂制造的多層結(jié)構(gòu)的方法,其特征在于,所述方法包含:
提供由塊狀半導(dǎo)體硅材料形成的第一基板(502、502'、602、602')和第二基板(510、510'、610、610');
提供位于所述第一基板(502、502'、602、602')上的第一分離層(504、504'、504b、604、605b、614、615)和位于所述第二基板(510、510'、610、610')上的第二分離層(508、508a、508'、608),其中所述第一分離層(504、504b、604、605b、614、615)相對于所述第一基板(502、502'、602、602')有區(qū)別地可蝕刻,并且所述第二分離層(508、508a、508'、608)相對于所述第二基板(510、510'、610、610')以至少100的蝕刻速率比有區(qū)別地可蝕刻,以使所述第二分離層(508、508a、508'、608)在所述第二基板(510、510'、610、610')的蝕刻期間用作蝕刻停止層;
提供由硅或氮化硅形成的內(nèi)層(506、506a、606),使所述內(nèi)層(506、506a、606)位于所述第一分離層(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分離層(508、508a、508'、608)之間,其中所述內(nèi)層(506、506a、606)相對于所述第一分離層和所述第二分離層(508、508a、508'、608)中的每一個都有區(qū)別地可蝕刻;組裝多層結(jié)構(gòu),包括將所述內(nèi)層(506、506a、606)置于所述第一分離層(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分離層(508、508a、508'、608)之間,以使所述內(nèi)層(506、506a、606)分別通過所述第一分離層(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分離層(508、508a、508'、608)與所述第一基板(502、502'、602、602')和所述第二基板(510、510'、610、610')分開,
其中所述內(nèi)層(506、506a、606)成為具有近端(404a)、遠端(404b)、頸部(412)和肩部(410)的懸臂(404),懸臂由硅或氮化硅形成,其中所述肩部(410)位于所述內(nèi)層(506、506a、606)的所述近端(404a)并且沿遠側(cè)方向突出超過所述第二基板(510、510'、610、610')的邊緣,并且其中所述頸部(412)的寬度尺寸明顯小于所述肩部(410),所述第一基板(502、502'、602、602')成為由塊狀半導(dǎo)體硅材料通過蝕刻形成并且位于所述遠端(404b)的針尖(406、922),以及所述第二基板(510、510'、610、610')成為由塊狀半導(dǎo)體硅材料通過蝕刻形成并且位于所述近端(404a)的手柄(402),
其中所述針尖(406、922)完全位于所述懸臂(404)的部分(404c)上,并且其中所述部分(404c)完全位于所述近端(404a)和所述遠端(404b)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,其中提供所述內(nèi)層(506、506a、606)包括在所述第一分離層(504、504'、504b、604、605b、614、615)或所述第二分離層(508、508a、508'、608)中的至少一個上沉積氮化硅薄膜。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,其中所述多層結(jié)構(gòu)的組裝包括執(zhí)行晶片級操作,并且其中所述多層結(jié)構(gòu)是晶片級結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其特征在于,還包括:
在組裝所述多層結(jié)構(gòu)之前,形成位于所述第一基板(502、502'、602、602')和所述內(nèi)層(506、506a、606)之間的一組導(dǎo)電墊,每個所述導(dǎo)電墊被布置成在將由所述第一基板(502、502'、602、602')形成的相應(yīng)探針針尖(922)和將由所述內(nèi)層(506、506a、606)形成的相應(yīng)懸臂(506、506a、606)之間提供電連接。
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針





