[發(fā)明專利]激光退火載臺在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010305145.8 | 申請日: | 2020-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN113539878A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賈禮賓;劉佑銘 | 申請(專利權(quán))人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 退火 | ||
1.一種激光退火載臺,其特征在于,包括:
承載平臺,其具有相對設(shè)置的上表面和下表面,所述上表面用于接觸并承載激光退火對象;
冷卻裝置,其設(shè)置于所述承載平臺的下表面一側(cè),并通過對所述承載平臺的下表面噴布氣體冷卻介質(zhì)降低所述承載平臺和所述激光退火對象在激光退火過程中的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火載臺,其特征在于,所述冷卻裝置包括:
密封隔離結(jié)構(gòu),其位于所述承載平臺下方,并與所述承載平臺共同形成密封腔室;所述密封腔室的頂部內(nèi)側(cè)面至少包括所述承載平臺的下表面;
氣體供給裝置,其連接所述密封腔室,用于向所述密封腔室供給所述氣體冷卻介質(zhì);
抽真空裝置,其連接所述密封腔室,用于從所述密封腔室抽走所述氣體冷卻介質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光退火載臺,其特征在于,所述冷卻裝置還包括:
引流分布結(jié)構(gòu),其位于所述密封腔室中,用于將所述氣體供給裝置供給的所述氣體冷卻介質(zhì)引流分布至所述承載平臺的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光退火載臺,其特征在于,所述引流分布結(jié)構(gòu)包括分隔所述承載平臺和所述氣體供給裝置的隔板以及位于所述隔板中的引流分布通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光退火載臺,其特征在于,所述氣體供給裝置包括用于調(diào)節(jié)所述氣體冷卻介質(zhì)溫度的溫度調(diào)節(jié)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火載臺,其特征在于,所述氣體冷卻介質(zhì)包括氮氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火載臺,其特征在于,所述承載平臺具有連通所述上表面和所述下表面的平臺通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光退火載臺,其特征在于,所述承載平臺還具有定位并固定所述激光退火對象的定位固定結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光退火載臺,其特征在于,所述激光退火對象包括減薄晶圓,所述減薄晶圓通過粘合層固定于載體襯底上,所述載體襯底具有連通接觸所述粘合層的表面與遠離所述粘合層的表面的襯底通孔;所述載體襯底承載于所述承載平臺時,所述平臺通孔的位置與所述襯底通孔的位置一一對應。
10.一種激光退火裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至9中任一項所述的激光退火載臺。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于芯恩(青島)集成電路有限公司,未經(jīng)芯恩(青島)集成電路有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010305145.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





