[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造設(shè)備及其保護(hù)環(huán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010300871.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN111508887B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳朋亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種保護(hù)環(huán)，設(shè)置于半導(dǎo)體制造設(shè)備中的承載裝置上，用于防止工藝副產(chǎn)物進(jìn)入所述承載裝置，其特征在于，所述保護(hù)環(huán)包括：環(huán)狀本體及接合件；

所述環(huán)狀本體包括外周緣及內(nèi)邊緣，所述內(nèi)邊緣包括圓弧邊及直邊，所述圓弧邊與所述外周緣同心設(shè)置，所述直邊沿所述環(huán)狀本體的切線方向延伸設(shè)置且內(nèi)接于所述圓弧邊；所述直邊對(duì)應(yīng)的環(huán)狀本體區(qū)域沿徑向設(shè)置有釋放缺口，所述釋放缺口用于釋放環(huán)狀本體的應(yīng)力；

所述接合件內(nèi)嵌于所述釋放缺口并且與所述釋放缺口間隙配合；當(dāng)所述接合件與所述釋放缺口配合設(shè)置時(shí)，所述接合件的外表面與所述環(huán)狀本體的外表面共面設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述釋放缺口對(duì)應(yīng)的所述環(huán)狀本體的頂面上還設(shè)有限位槽，并且所述限位槽靠近所述外周緣設(shè)置；所述釋放缺口沿徑向斷開所述環(huán)狀本體及所述限位槽。

3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述限位槽沿所述環(huán)狀本體的周向具有第一內(nèi)徑，所述釋放缺口沿所述環(huán)狀本體的周向具有第二內(nèi)徑，所述第一內(nèi)徑大于所述第二內(nèi)徑。

4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述接合件包括一體設(shè)置的限位板與接合塊，所述限位板與所述限位槽配合限位；所述接合塊嵌設(shè)于所述釋放缺口內(nèi)，并且所述接合塊與所述釋放缺口間隙配合。

5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述限位槽的底面上還設(shè)有第一卡合槽，所述第一卡合槽靠近所述外周緣設(shè)置；所述限位板面向所述限位槽的一面上還凸設(shè)有第一卡合塊，所述第一卡合塊與所述第一卡合槽配合限位。

6.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述釋放缺口對(duì)應(yīng)的所述環(huán)狀本體的頂面還設(shè)有第二卡合槽，所述第二卡合槽靠近所述直邊設(shè)置；所述接合塊上還設(shè)置有第二卡合塊，所述第二卡合塊與所述第二卡合槽配合限位。

7.如權(quán)利要求6所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述第一卡合槽及所述第二卡合槽在所述環(huán)狀本體的徑向上并列設(shè)置，并且所述第一卡合槽及所述第二卡合槽均位于所述釋放缺口的兩側(cè)。

8.如權(quán)利要求1至7的任一所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述釋放缺口位于所述直邊對(duì)應(yīng)的所述環(huán)狀本體區(qū)域的中部位置。

9.如權(quán)利要求1至7的任一所述的保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述環(huán)狀本體為陶瓷材質(zhì)結(jié)構(gòu)件，所述接合件為陶瓷材質(zhì)結(jié)構(gòu)件。

10.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括工藝腔室以及設(shè)置于所述工藝腔室內(nèi)用于承載待加工工件的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置具有如權(quán)利要求1至9的任一所述的保護(hù)環(huán)。