[發(fā)明專利]一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010300816.1 | 申請日: | 2020-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN111446214A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嚴(yán)立巍;李景賢;陳政勛 | 申請(專利權(quán))人: | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/29 | 分類號: | H01L23/29;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市越城區(qū)*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聚酰亞胺 結(jié)合 元件 | ||
1.一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:包括銅柱(1)、鎢柱(6)、晶圓基板(7)和引線框架(5),其特征在于:所述鎢柱(6)固定連接在晶圓基板(7)上,所述晶圓基板(7)上固定連接有氮化硅層(3),所述氮化硅層(3)上固定連接有聚酰亞胺層(4),所述銅柱(1)固定連接在鎢柱(6)上,所述銅柱(1)的側(cè)面和頂面包覆有貴金屬外殼包覆層(2),所述引線框架(5)焊接在貴金屬外殼包覆層(2)上,所述引線框架(5)和貴金屬外殼包覆層(2)的焊接接觸面形成共熔合金接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述貴金屬外殼包覆層(2)的材質(zhì)為鎳、鈀和金的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述貴金屬外殼包覆層(2)中鎳厚度為1.5至3.5微米,鈀厚度為0.15至0.35微米,金的厚度0.02至0.05微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述引線框架(5)的材質(zhì)為金或鋁或銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述銅柱(1)是以電化學(xué)鍍銅工藝形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述銅柱(1)是以槽式電鍍工藝生形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述晶圓基板(7)上還連接有氮化硅層(3),氮化硅層(3)的厚度大于
8.根據(jù)權(quán)利要求1的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述聚酰亞胺層(4)是經(jīng)過溫度350~450℃固化形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚酰亞胺結(jié)合銅柱元件,其特征在于:所述銅柱(1)和鎢柱(6)之間還有銅種子層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于紹興同芯成集成電路有限公司,未經(jīng)紹興同芯成集成電路有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010300816.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





