[發明專利]一種晶圓熱處理工藝以及晶圓雙面電鍍工藝在審
| 申請號： | 202010300797.2 | 申請日： | 2020-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN111446165A | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發明（設計）人： | 嚴立巍;陳政勛;李景賢 | 申請（專利權）人： | 紹興同芯成集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/324;H01L21/02;C25D7/12;C23C18/00 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熱處理 工藝 以及 雙面 電鍍 | ||
1.一種晶圓熱處理工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將所述晶圓一端面與玻璃載板鍵合在一起；
研磨所述晶圓的另一端面，使得所述晶圓薄化；
蝕刻所述晶圓中部，使得所述晶圓的形狀呈中央薄、邊緣厚；
對所述晶圓的另一端面依次進行黃光與離子注入工藝；
通過雷射或電阻加熱或紫外光照射解鍵合所述玻璃載板，清洗去除鍵合劑；
進行熱處理工藝，形成合金的歐姆接觸電阻。
2.根據權利要求1所述的晶圓熱處理工藝，其特征在于，經過蝕刻后，所述晶圓的形狀為階梯形或斜坡形。
3.根據權利要求1所述的晶圓熱處理工藝，其特征在于，經過蝕刻后，所述晶圓最薄處厚度為20～100微米。
4.根據權利要求1所述的晶圓熱處理工藝，其特征在于，所述熱處理工藝中，將所述晶圓放入爐管設備中，通入氮氣后，進行加熱。
5.根據權利要求1所述的晶圓熱處理工藝，其特征在于，所述玻璃載板厚度為400～700微米。
6.根據權利要求1所述的晶圓熱處理工藝，其特征在于，所述晶圓經過研磨后，最厚處厚度為200～400微米。
7.一種晶圓雙面電鍍工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將所述晶圓一端面與玻璃載板鍵合在一起；
研磨所述晶圓的另一端面，使得所述晶圓薄化；
蝕刻所述晶圓中部，使得所述晶圓的形狀呈中央薄、邊緣厚；
對所述晶圓的另一端面依次進行黃光與離子注入工藝；
通過雷射或電阻加熱或紫外光照射解鍵合所述玻璃載板，清洗去除鍵合劑；
進行雙面電鍍或化學鍍工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
