[發(fā)明專利]一種半導體結構及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010300660.7 | 申請日： | 2020-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN113540342B | 公開（公告）日： | 2023-07-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳玉雷;吳保磊;王曉光;平爾萱 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H10N50/01 | 分類號： | H10N50/01;H10N50/10;H01L23/552;H10B61/00 |
| 代理公司： | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成第一屏蔽層；
形成貫穿所述第一屏蔽層的第一電極；
在所述第一電極上形成存儲結構；
在所述存儲結構的頂部和側壁形成第二屏蔽層，所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層共同構成屏蔽層；
形成貫穿所述屏蔽層且與所述存儲結構電連接的第二電極。
2.如權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述存儲結構包括磁性層堆疊結構。
3.如權利要求2所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述形成貫穿所述第一屏蔽層的第一電極的步驟，包括：
在所述第一屏蔽層上形成第一介質層；
在所述第一屏蔽層和所述第一介質層中形成第一開口；
在所述第一開口中形成所述第一電極。
4.如權利要求3所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在所述存儲結構的頂部和側壁形成第二屏蔽層之前，還包括：
形成覆蓋所述磁性層堆疊結構的頂部和側壁的第二介質層，所述第一介質層和所述第二介質層共同構成隔離層。
5.如權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層的材料包括導電性材料和/或導磁性材料。
6.如權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層的材質不同；
利用自對準刻蝕工藝去除所述磁性層堆疊結構側壁上的所述第二屏蔽層下方之外的所述第一屏蔽層；
所述磁性層堆疊結構側壁上的所述第二屏蔽層下方保留的所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層形成所述屏蔽層。
7.如權利要求6所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述屏蔽層的底部低于所述磁性層堆疊結構的底部。
8.如權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，
所述磁性層堆疊結構的頂部呈弧形。
9.如權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述磁性層堆疊結構的橫向尺寸大于所述第一電極的橫向尺寸。
10.如權利要求8所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述形成貫穿所述屏蔽層且與所述存儲結構電連接的第二電極的步驟，包括：
在所述襯底和所述屏蔽層上形成第三介質層；
利用研磨工藝去除所述磁性層堆疊結構上方的部分屏蔽層以暴露所述磁性層堆疊結構的頂部；
在所述磁性層堆疊結構的頂部形成第四介質層；
在所述第四介質層中形成第二開口，以暴露出所述磁性層堆疊結構的頂部；
于所述第二開口中形成所述第二電極。
11.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底；
第一電極，位于所述襯底內；
存儲結構，位于所述第一電極上；
屏蔽層，覆蓋所述存儲結構的頂部和側壁，且所述屏蔽層的底部低于所述存儲結構的底部；以及
第二電極，貫穿所述存儲結構頂部的所述屏蔽層且與所述存儲結構電連接；
其中，所述屏蔽層包括第一屏蔽層和第二屏蔽層；所述第一屏蔽層位于所述存儲結構的底部，所述第一電極貫穿所述第一屏蔽層；所述第二屏蔽層位于所述存儲結構的頂部和側壁，所述第二電極貫穿所述第二屏蔽層。
12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述存儲結構包括磁性層堆疊結構。
13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述磁性層堆疊結構包括固定層、間隔層和自由層。
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