[發明專利]顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202010300435.3 | 申請日: | 2020-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN111477660A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 賈文斌 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示基板及顯示裝置,屬于顯示技術領域,其可解決現有的顯示基板中的有機功能層厚度不均勻的問題。本發明的一種顯示基板,具有像素區和圍繞像素區的虛擬像素區,包括:基底、及位于基底上的像素限定層;像素限定層包括:設置于像素區的多個第一像素限定結構、及設置于虛擬像素區的多個第二像素限定結構;第一像素限定結構包括:第一像素擋墻和由第一像素擋墻限定形成的第一容納部;第二像素限定結構包括:第二像素擋墻和由第二像素擋墻限定形成的第二容納部;第二容納部的容積大于第一容納部的容積。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示以其高亮度、高信賴性等優勢,在顯示領域中得到了有廣泛地應用。OLED的成膜方式主要有蒸鍍制程和溶液制程。目前蒸鍍制程技術已經應用于量產中,但是該技術材料昂貴以及材料利用率較低,加大產品開發的成本。溶液制程技術中OLED成膜方式主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂、絲網印刷等。
在采用噴墨打印方式形成OLED中的有機功能層時,墨水需要通過真空干燥(Vacuum Dry,VCD)工藝進行干燥,但VCD工藝并不能保證整個顯示基板的干燥均勻性,往往存在邊緣效應。傳統技術中一般會在像素區周圍均勻設置一圈虛擬像素區,可作為干燥緩沖區,提高像素區的成膜均勻性。
發明人發現現有技術中至少存在如下問題:目前傳統虛擬像素區所承載的溶劑量有限,無法完全消除邊緣效應。如果直接擴大虛擬像素區的區域,容易增大顯示基板的邊框,無法實現窄邊框顯示,影響用戶使用體驗。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種顯示基板及顯示裝置。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示基板,具有像素區和圍繞所述像素區的虛擬像素區,包括:基底、及位于所述基底上的像素限定層;所述像素限定層包括:設置于所述像素區的多個第一像素限定結構、及設置于所述虛擬像素區的多個第二像素限定結構;
所述第一像素限定結構包括:第一像素擋墻和由所述第一像素擋墻限定形成的第一容納部;所述第二像素限定結構包括:第二像素擋墻和由所述第二像素擋墻限定形成的第二容納部;
所述第二容納部的容積大于所述第一容納部的容積。
可選地,所述第二像素擋墻的坡角度與所述第一像素擋墻的坡角度相等,且所述第二像素擋墻的高度大于所述第一像素擋墻的高度。
可選地,所述第二像素擋墻的高度與所述第一像素擋墻的高度相等,且所述第二像素擋墻的坡角度小于所述第一像素擋墻的坡角度。
可選地,所述第二像素擋墻的高度大于所述第一像素擋墻的高度,且所述第二像素擋墻的坡角度小于所述第一像素擋墻的坡角度。
可選地,其特征在于,所述第一容納部靠近所述基底一側的面積與所述第二容納部靠近所述基底一側的面積相等。
可選地,所述第一容納部和所述第二容納部在垂直于所述基底的方向上的截面形狀包括倒梯形。
可選地,相鄰的所述第一像素擋墻和所述第二像素擋墻為一體成型結構。
可選地,所述第一像素擋墻的材料與所述第二像素擋墻的材料相同。
可選地,所述第一像素擋墻的材料和所述第二像素擋墻的材料不同。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置,包括如上述提供的顯示基板。
附圖說明
圖1為現有技術中一種顯示基板的結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





