[發明專利]雙分離柵閃存電路及存儲裝置、讀取方法

有效

• 申請號: 202010300323.8
• 申請日: 2020-04-16
• 公開（公告）號: CN111489779B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 胡劍;楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/24;G11C16/26
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種雙分離柵閃存電路，其特征在于，包括存儲單元和用來獲取所述存儲單元的讀出信號的控制模塊，所述存儲單元具有源電極和漏電極，且所述源電極連接第一位線，所述漏電極連接第二位線，所述控制模塊電連接至所述第一位線以獲取所述讀出信號，所述第二位線的電平在對所述存儲單元執行讀操作時被預充到電源電壓，以使所述漏電極相對于所述源電極為正電位；

所述控制模塊包括預充單元、第一比較單元、開關單元、偏置單元、重置單元和第二比較單元；所述預充單元用于將所述第一位線的初始電位預充至第一參考電壓；所述第一比較單元用于在對所述存儲單元執行讀操作時，比較所述第一位線的電壓與所述第一參考電壓，并輸出一開關控制信號；所述開關單元用于根據所述第一比較單元輸出的開關控制信號打開或斷開，所述開關單元的一端連接所述第一位線，另一端連接第一節點；所述偏置單元的信號輸出端連接所述第一節點，用于在所述開關單元未打開時拉低所述第一節點的電位；所述重置單元用于接收重置信號且對所述第一節點進行電位重置，使所述第一節點的初始電位接近零電位；所述第二比較單元用于在對所述存儲單元執行讀操作時，比較所述第一節點的電壓和第二參考電壓，并輸出讀出信號。

2.如權利要求1所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，所述預充單元包括一個NMOS管，所述NMOS管的一端連接電源電壓，另一端連接所述第一位線。

3.如權利要求1所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，所述開關單元選自PMOS管、NMOS管、三極管、JFET以及IGBT中的一種。

4.如權利要求1所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，所述電源電壓為1V～1.4V。

5.如權利要求1所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，還包括：

第一地址譯碼單元，連接所述電源電壓的輸出端和所述第二位線，所述第一地址譯碼單元用于根據外部輸入的地址信號在所述電源電壓的輸出端和所述第二位線之間形成開關控制信號；以及

第二地址譯碼單元，連接所述第一位線的輸出端和所述控制模塊，所述第二地址譯碼單元用于根據外部輸入的地址信號在所述第一位線的輸出端和所述控制模塊之間形成開關控制信號。

6.如權利要求5所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，所述第一地址譯碼單元和所述第二地址譯碼單元均包括多個串聯連接的MOS管。

7.如權利要求6所述的雙分離柵閃存電路，其特征在于，所述第一地址譯碼單元包括多個串聯連接的PMOS管，所述第二地址譯碼單元包括多個串聯連接的NMOS管。

8.一種雙分離柵閃存的讀取方法，其特征在于，利用如權利要求1～7任一項所述的雙分離柵閃存電路進行存儲單元讀操作，所述讀取方法包括：

將所述第二位線的電平預充到電源電壓；

利用所述控制模塊的預充單元將第一位線的電平預充至所述預充單元的輸出電壓，并利用所述重置單元對第一節點進行電位重置，使所述第一節點的初始電位接近零電位，在所述預充單元和所述重置單元共同作用且達到平衡后，所述第一位線和所述第一節點的電平均預充至第一參考電壓；以及

執行讀操作，其中，

當存儲單元的存儲信號為高電平時，所述第一位線的電壓高于所述第一參考電壓，所述第一比較單元比較所述第一位線的電壓與所述第一參考電壓，并輸出開關控制信號使所述開關單元打開且所述第一節點的電壓高于所述第一參考電壓，所述第一參考電壓設置為大于第二參考電壓，所述第二比較單元比較所述第一節點的電壓和所述第二參考電壓，并輸出高電平的所述讀出信號；

當所述存儲單元的存儲信號為低電平時，所述第一位線的電壓低于所述第一參考電壓，所述第一比較單元比較所述第一位線的電壓與所述第一參考電壓，并輸出所述開關控制信號使所述開關單元斷開，所述偏置單元拉低所述第一節點的電位，使所述第一節點的電壓低于所述第二參考電壓，所述第二比較單元比較所述第一節點的電壓和所述第二參考電壓，并輸出低電平的所述讀出信號。

9.一種存儲裝置，其特征在于，包括如權利要求1至7任一項所述的雙分離柵閃存電路。