[發明專利]一種變斜率放電驅動電路

有效

• 申請號: 202010300236.2
• 申請日: 2020-04-16
• 公開（公告）號: CN111338418B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 周澤坤;王佳妮;金正揚;王韻坤;王卓;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;G05F1/575
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種變斜率放電驅動電路，輸入信號為DC-DC變換器中高側功率管的柵極邏輯控制信號，輸出信號連接所述高側功率管的柵極，其特征在于，所述變斜率放電驅動電路包括電平位移器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第一電阻、第三電阻、第一電容、第一NMOS管、第一耐壓NMOS管、第二耐壓NMOS管、第三耐壓NMOS管、第二耐壓PMOS管、第三耐壓PMOS管和第四耐壓PMOS管；

電平位移器的輸入端連接所述變斜率放電驅動電路的輸入信號，其輸出端連接第一反相器的輸入端；所述電平位移器用于將處于低電源軌電壓域的所述變斜率放電驅動電路的輸入信號提升到高電源軌電壓域，其中低電源軌為低電源電壓到地電平，高電源軌為高電源電壓到地電平；

第二反相器的輸入端連接第一反相器的輸出端并通過第一電阻后連接所述高電源電壓，其輸出端輸出第一控制信號并連接第三反相器的輸入端、第二耐壓NMOS管的柵極和第二耐壓PMOS管的柵極；

第三反相器的輸出端輸出第二控制信號并連接第四反相器的輸入端和第一電容的一端；

將所述第二控制信號進行充電后獲得第三控制信號，充電后獲得的所述第三控制信號的電源軌為兩倍高電源電壓到高電源電壓；所述第三控制信號連接第一NMOS管的柵極并用于為所述高側功率管充電；

第一NMOS管的漏極連接第二耐壓PMOS管的源極和第三耐壓PMOS管的柵極并連接所述高電源電壓，其源極連接第一電容的另一端、第三耐壓PMOS管的源極和第二耐壓PMOS管的襯底；

第二耐壓NMOS管的漏極連接第二耐壓PMOS管的漏極、第三耐壓PMOS管的漏極和第一耐壓NMOS管的柵極，其源極連接地電平；

第四耐壓PMOS管的柵極連接第一耐壓NMOS管的源極和所述DC-DC變換器中高側功率管與低側功率管的連接點，其源極連接第一耐壓NMOS管的漏極并輸出所述變斜率放電驅動電路的輸出信號，其漏極通過第三電阻后連接第三耐壓NMOS管的漏極；

第三耐壓NMOS管的柵極連接第四反相器的輸出信號經過第五反相器后的信號，其源極連接地電平。

2.根據權利要求1所述的變斜率放電驅動電路，其特征在于，所述變斜率放電驅動電路還包括第一耐壓PMOS管、第二電阻和第二電容，第二電阻的一端連接所述高電源電壓，另一端連接第一耐壓PMOS管的柵極并通過第二電容后連接地電平；第一耐壓PMOS管的源極連接所述第三控制信號，其漏極連接所述高側功率管的柵極。

3.根據權利要求1或2所述的變斜率放電驅動電路，其特征在于，所述第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器和第五反相器為帶放大功能的反相器。