[發明專利]波長轉換裝置在審
| 申請號： | 202010297701.1 | 申請日： | 2020-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN112051694A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 宮野謙太郎;領木直矢;石橋明彥;信岡政樹 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/35 | 分類號： | G02F1/35;G02F1/37;G02F1/355 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波長 轉換 裝置 | ||
1.一種波長轉換裝置，其具備：
第一層，其由通式RAMO4所示的單晶體形成，通式中，R表示選自Sc、In、Y和鑭系元素中的一種或多種三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga和Al中的一種或多種三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一種或多種二價元素；以及
第二層，其由所述通式RAMO4所示的單晶體形成，且極化方向與所述第一層相比反轉180°。
2.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其中，所述第一層與所述第二層的界面由包含A和M的氧化物形成。
3.根據權利要求2的波長轉換裝置，其中，所述通式中的R為Sc，A為Al，M為Mg，所述界面為Al和Mg的氧化物。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的波長轉換裝置，其具備波長轉換部，所述波長轉換部具有依次反復重疊有所述第一層和所述第二層的周期極化反轉結構。
5.根據權利要求4所述的波長轉換裝置，其中，所述波長轉換部產生二次諧波。
6.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為3.5μm以上且4.4μm以下，
所述二次諧波的波長為245nm以上且280nm以下。
7.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為4.4μm以上且5.5μm以下，
所述二次諧波的波長為280nm以上且315nm以下。
8.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為5.5μm以上且9.8μm以下，
所述二次諧波的波長為315nm以上且400nm以下。
9.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為9.8μm以上且12.4μm以下，
所述二次諧波的波長為400nm以上且435nm以下。
10.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為12.4μm以上且17.1μm以下，
所述二次諧波的波長為435nm以上且480nm以下。
11.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為17.1μm以上且18.1μm以下，
所述二次諧波的波長為480nm以上且490nm以下。
12.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為18.1μm以上且19.2μm以下，
所述二次諧波的波長為490nm以上且500nm以下。
13.根據權利要求5所述的波長轉換裝置，其中，一個所述第一層和一個所述第二層的合計厚度為19.2μm以上且26.7μm以下，
所述二次諧波的波長為500nm以上且560nm以下。
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