[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 202010293846.4
• 申請日: 2020-04-15
• 公開（公告）號: CN111834253A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 高橋哲平
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種處理基片的基片處理方法，其特征在于，包括：

(a)通過旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液來形成涂敷膜的步驟；

(b)對在所述(a)步驟中形成于基片的表面周緣部的所述涂敷膜的凸部，供給所述涂敷液的溶劑的步驟；和

(c)在停止供給所述溶劑的狀態下，使基片旋轉，使所述凸部的頂點向基片的徑向外側移動的步驟，

反復進行所述(b)步驟和所述(c)步驟。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述(b)步驟中，從基片的正面側對所述凸部供給所述溶劑，并且從基片的背面側對所述凸部供給所述溶劑。

3.如權利要求2所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述(b)步驟中，同時從基片的正面側和基片的背面側供給所述溶劑。

4.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

在反復進行所述(b)步驟和所述(c)步驟時，使所述(b)步驟中的所述溶劑的供給位置在基片的徑向移動。

5.如權利要求4所述的基片處理方法，其特征在于：

使所述(b)步驟中的所述溶劑的供給位置從基片的徑向內側移動到外側。

6.如權利要求4所述的基片處理方法，其特征在于：

使所述(b)步驟中的所述溶劑的供給位置從基片的徑向外側移動到內側。

7.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

根據所述(b)步驟中的所述溶劑的供給時間和供給位置，控制所述(b)步驟和所述(c)步驟的反復次數，來控制所述涂敷膜的膜厚。

8.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

一邊使基片旋轉一邊進行所述(b)步驟中的所述溶劑的供給，

所述(c)步驟中的基片的轉速比所述(b)步驟中的基片的轉速大，

所述(c)步驟中的基片的轉速為2000rpm以下。

9.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述涂敷液的粘度為1000cp～10000cp。

10.一種對基片涂敷涂敷液的基片處理裝置，其特征在于，包括：

構成為能夠保持基片并使其旋轉的基片保持部；

涂敷液供給部，其構成為能夠對保持于所述基片保持部的基片涂敷涂敷液；

溶劑供給部，其構成為能夠對保持于所述基片保持部的基片的周緣部從基片的正面側供給所述涂敷液的溶劑；和

控制部，

所述控制部包括：

(a)通過旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液來形成涂敷膜的步驟；

(b)對在所述(a)步驟中形成于基片的表面周緣部的所述涂敷膜的凸部，供給所述涂敷液的溶劑的步驟；和

(c)在停止供給所述溶劑的狀態下，使基片旋轉，使所述凸部的頂點向基片的徑向外側移動的步驟，

并且所述控制部控制所述基片保持部、所述涂敷液供給部和所述溶劑供給部，以使得反復執行所述(b)步驟和所述(c)步驟。

11.如權利要求10所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括另一溶劑供給部件，其構成為能夠對保持于所述基片保持部的基片的周緣部從基片的背面側供給所述溶劑，

所述控制部構成為能夠控制所述溶劑供給部和所述另一溶劑供給部，以使得在所述(b)步驟中，從基片的正面側對所述凸部供給所述溶劑，并且從基片的背面側對所述凸部供給所述溶劑。

12.如權利要求10或11所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括構成為能夠使所述溶劑供給部在水平方向移動的移動機構，

所述控制部構成為能夠控制所述溶劑供給部和所述移動機構，以使得在反復進行所述(b)步驟和所述(c)步驟時，使所述(b)步驟中的所述溶劑的供給位置在基片的徑向移動。