[發明專利]氮雜萘類衍生物、其合成方法及其電子器件在審
| 申請號: | 202010293485.3 | 申請日: | 2020-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN111533736A | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 崔林松;朱向東;張業欣;陳華 | 申請(專利權)人: | 蘇州久顯新材料有限公司 |
| 主分類號: | C07D471/04 | 分類號: | C07D471/04;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 重慶百潤洪知識產權代理有限公司 50219 | 代理人: | 孟仕杰 |
| 地址: | 215222 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮雜萘類 衍生物 合成 方法 及其 電子器件 | ||
1.一種氮雜萘類衍生物,其特征在于,其由下述通式(1)表示:
其中,L1~L3各自獨立地表示單鍵、羰基、具有6至18個碳原子的芳香族烴基或具有5至18個碳原子的芳香族雜環基的一個或多個;
A1~A3自獨立地表示Ar1、Ar2、Ar3、的一個或多個;
Ar1~Ar6各自獨立地表示任選被一個或多個R1取代的、具有6至30個碳原子的芳香族烴基或任選被一個或多個R1取代的、具有5至30個碳原子的芳香族雜環基的一個或多個;
R1表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、NO2、N(R2)2、OR2、SR2、C(=O)R2、P(=O)R2、Si(R2)3、取代或未取代的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至20個碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至20個碳原子的炔基、取代或未取代的具有6至40個碳原子的芳香族烴基、或取代或未取代的具有5至40個碳原子的芳香族雜環基的一個或多個;
R2表示氫原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30個碳原子的芳香族烴基或取代或未取代的具有5至30個碳原子的芳香族雜環基的一個或多個。
2.根據權利要求1所述的氮雜萘類衍生物,其特征在于,進一步由下述通式(I)或(II)表示:
所述L1~L3和Ar1~Ar6具有根據權利要求1所定義的含義。
3.根據權利要求1所述的氮雜萘類衍生物,其特征在于,所述Ar1~Ar6各自獨立地選自下述基團:
其中,虛線表示與L1、L2、L3或N鍵合的鍵,R1具有如通式(1)所定義的含義。
4.根據權利要求1-3中任一所述的氮雜萘類衍生物,其特征在于,所述R1和R2各自獨立地表示苯基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、五聯苯基、苯并噻吩并咔唑、苯并呋喃并咔唑、苯并芴并咔唑、苯并蒽、苯并菲、芴基、螺雙芴基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、茚并咔唑基、苯并咪唑基、二苯基-苯并咪唑基、二苯基-噁二唑基、二苯基硼基、三苯基磷氧基、二苯基磷氧基、三苯基硅基或四苯基硅基中的一個或多個。
5.根據權利要求1-4中任一所述的氮雜萘類衍生物,其特征在于,進一步由所述通式(1)表示的氮雜萘類衍生物選自下述化合物:
6.氮雜萘類衍生物的合成方法,合成路線如下:
7.權利要求1-5中任一所述的氮雜萘類衍生物在電子器件中的應用。
8.根據權利要求7所述的電子器件,其特征在于,所述電子器件為有機電致發光器件、有機場效應晶體管或有機太陽能電池;
其中,所述有機電致發光器件包括:第一電極、與所述第一電極對置而具備的第二電極以及夾在所述第一電極與第二電極之間的至少一個有機層,所述至少一個有機層包含氮雜萘類衍生物。
9.根據權利要求8所述的電子器件,其特征在于,所述至少一個有機層為空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子阻擋層、空穴阻擋層或電子傳輸層。
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