[發(fā)明專利]NOR FLASH芯片及在其擦除過程中消除過擦除的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010291263.8
• 申請(qǐng)日: 2020-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN111192616B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文靜;于文賢;張涌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市芯天下技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/16
• 分類號(hào): G11C16/16;G11C16/34;G11C29/44
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

1.一種在NOR FLASH芯片擦除過程中消除過擦除的方法，其特征在于，所述在NORFLASH芯片擦除過程中消除過擦除的方法包括：

當(dāng)NOR FLASH芯片接收到擦除命令時(shí)，檢測(cè)所述擦除命令是否為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令；

若所述擦除命令為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令，則從NOR FLASH芯片中的第一個(gè)存儲(chǔ)塊開始依次對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作，直至完成對(duì)NOR FLASH芯片中的最后一個(gè)存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作；

在完成對(duì)NOR FLASH芯片中所有存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作后，對(duì)所述擦除命令對(duì)應(yīng)的目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行預(yù)寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的預(yù)寫入及驗(yàn)證操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的擦除操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除修復(fù)，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的弱寫入及驗(yàn)證操作后，從所述NOR FLASH芯片的所有存儲(chǔ)塊中確定一個(gè)非目標(biāo)存儲(chǔ)塊，對(duì)所述非目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱塊修復(fù)。

2.如權(quán)利要求1所述的在NOR FLASH芯片擦除過程中消除過擦除的方法，其特征在于，所述檢測(cè)所述擦除命令是否為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令包括：

檢測(cè)第一次擦除信號(hào)是否為高電平；

當(dāng)所述第一次擦除信號(hào)為高電平時(shí)，確定所述擦除命令為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令；

當(dāng)所述第一次擦除信號(hào)為低電平時(shí)，確定所述擦除命令不為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令；

其中，在NOR FLASH芯片上電后，所述第一次擦除信號(hào)為高電平，在NOR FLASH芯片執(zhí)行完第一次擦除命令對(duì)應(yīng)的擦除操作后，所述第一次擦除信號(hào)由高電平變?yōu)榈碗娖健?/p>

3.如權(quán)利要求2所述的在NOR FLASH芯片擦除過程中消除過擦除的方法，其特征在于，在所述檢測(cè)所述擦除命令是否為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令之后，還包括：

若所述擦除命令不為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令，則對(duì)所述擦除命令對(duì)應(yīng)的目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行預(yù)寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的預(yù)寫入及驗(yàn)證操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的擦除操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除修復(fù)，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的弱寫入及驗(yàn)證操作后，從所述NORFLASH芯片的所有存儲(chǔ)塊中確定一個(gè)非目標(biāo)存儲(chǔ)塊，對(duì)所述非目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱塊修復(fù)。

4.一種NOR FLASH芯片，其特征在于，所述NOR FLASH芯片包括：

檢測(cè)模塊，用于當(dāng)NOR FLASH芯片接收到擦除命令時(shí)，檢測(cè)所述擦除命令是否為NORFLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令；

修復(fù)模塊，用于若所述擦除命令為NOR FLASH芯片上電后首次接收到的擦除命令，則從NOR FLASH芯片中的第一個(gè)存儲(chǔ)塊開始依次對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作，直至完成對(duì)NOR FLASH芯片中的最后一個(gè)存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作；

擦除模塊，用于在完成對(duì)NOR FLASH芯片中所有存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)以及弱寫入及驗(yàn)證操作后，對(duì)所述擦除命令對(duì)應(yīng)的目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行預(yù)寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的預(yù)寫入及驗(yàn)證操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的擦除操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除修復(fù)，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)操作后，對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱寫入及驗(yàn)證操作，在完成對(duì)所述目標(biāo)存儲(chǔ)塊的弱寫入及驗(yàn)證操作后，從所述NOR FLASH芯片的所有存儲(chǔ)塊中確定一個(gè)非目標(biāo)存儲(chǔ)塊，對(duì)所述非目標(biāo)存儲(chǔ)塊進(jìn)行弱塊修復(fù)。