[發明專利]一種高性能硅碳負極材料及其制備方法有效
| 申請號： | 202010291223.3 | 申請日： | 2020-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN111584856B | 公開（公告）日： | 2022-07-19 |
| 發明（設計）人： | 屈楊;汪志全;胡在京;方琴鳳 | 申請（專利權）人： | 合肥國軒電池材料有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 周靜 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 負極 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅碳負極材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將聚乙烯吡咯烷酮溶于水中，攪拌均勻得到聚乙烯吡咯烷酮分散液；所述聚乙烯吡咯烷酮的結構式為；所述聚乙烯吡咯烷酮中的n值為5~30；
（2）將納米硅粉和石墨加入聚乙烯吡咯烷酮分散液中，攪拌均勻得到混合漿料，混合漿料經噴霧干燥得到Si/Graphite/C前驅體；
（3）將Si/Graphite/C前驅體與鋰輝石Li2O·Al2O3·4SiO2均勻混合后置于惰性氣氛下進行固相燒結，即得到硅碳負極材料；所述Si/Graphite/C前驅體與鋰輝石的質量比為1:0.5～0.8；所述固相燒結的溫度為650～850℃，時間為10～16h；所述惰性氣氛為N2。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述納米硅粉、石墨、聚乙烯吡咯烷酮的質量比為1:3～5：0.2～0.5。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中，所述納米硅粉的D50為25～45nm；石墨為球形石墨，球形石墨的D50為5～15um。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中，所述噴霧干燥的溫度為90～120℃。
5.如權利要求1-4任一項所述的制備方法制得的硅碳負極材料。
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