[發(fā)明專利]半導(dǎo)體外延設(shè)備中的反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體外延設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010286084.5
• 申請日: 2020-04-13
• 公開（公告）號: CN111501098B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒傳巍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/06;C30B29/64
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 馬驥

1.一種半導(dǎo)體外延設(shè)備中的反應(yīng)腔室，其特征在于，包括自上而下依次疊置的上拱頂、基座環(huán)、支撐座，所述上拱頂、基座環(huán)、支撐座配合圍成所述反應(yīng)腔室的反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔中設(shè)置有用于承載待加工工件的承載臺，其中：

所述上拱頂包括拱頂環(huán)和透明的拱頂本體，所述拱頂本體與所述拱頂環(huán)連接，所述拱頂環(huán)疊置在所述基座環(huán)上，所述拱頂本體具備向上拱起的頂面和與所述承載臺的承載面平行的底面，所述拱頂本體的底面為連續(xù)面，并用于阻止反應(yīng)氣體沿豎直方向向上擴(kuò)散；

所述拱頂本體包括透明的上殼和下殼，所述上殼向上拱起，所述下殼呈平板狀，所述拱頂本體還包括：設(shè)置在所述上殼及所述下殼之間的加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述上殼及所述下殼分別與所述拱頂環(huán)連接，且均被所述拱頂環(huán)周向圍繞。

3.如權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述下殼的底面與所述拱頂環(huán)的底面平齊。

4.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述加強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括環(huán)繞所述拱頂本體的軸線均勻設(shè)置的多個支撐柱，所述支撐柱均沿豎直方向延伸至與所述上殼及所述下殼接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述上殼及所述下殼分別與所述拱頂環(huán)密封連接，所述上殼、所述下殼及所述拱頂環(huán)配合圍成一密封腔，該密封腔中的氣壓小于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。

6.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述加強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述下殼上且位于所述上殼和所述下殼之間的加強(qiáng)筋組，所述加強(qiáng)筋組包括加強(qiáng)筋環(huán)以及加強(qiáng)筋棱，所述加強(qiáng)筋環(huán)環(huán)繞所述拱頂本體的軸線設(shè)置，所述加強(qiáng)筋棱環(huán)繞所述加強(qiáng)筋環(huán)呈放射狀設(shè)置。

7.如權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述上殼及所述下殼分別與所述拱頂環(huán)密封連接，所述上殼、所述下殼及所述拱頂環(huán)配合圍成一密封腔，該密封腔中的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。

8.一種半導(dǎo)體外延設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的反應(yīng)腔室。