[發明專利]扇出型系統級封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202010285803.1
• 申請日: 2020-04-13
• 公開（公告）號: CN111370386A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠;吳政達
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種扇出型系統級封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

重新布線層，所述重新布線層包括第一面以及相對的第二面，所述重新布線層的第一面顯露有金屬布線層；

金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面的所述金屬布線層上，以實現所述重新布線層的電性引出；

金屬連接柱，形成于所述重新布線層的第二面上，所述金屬連接柱與所述重新布線層電性相連；

系統級芯片以及電源管理芯片，所述系統級芯片以及電源管理芯片接合于所述重新布線層的第二面上，以實現與所述重新布線層的電性連接；

封裝層，覆蓋于所述金屬連接柱、系統級芯片以及電源管理芯片，且所述金屬連接柱顯露于所述封裝層；

連接布線層，位于所述封裝層上，所述連接布線層與所述金屬連接柱電性連接；

存儲芯片及被動組件，接合于所述連接布線層，以實現與所述連接布線層的電性連接。

2.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述重新布線層包括：

圖形化的第一介質層；

圖形化的第一金屬布線層，位于所述圖形化的第一介質層上，所述第一金屬布線層與所述金屬連接柱、所述系統級芯片以及所述電源管理芯片連接；

圖形化的第二介質層，位于所述第一金屬布線層上；

圖形化的第二金屬布線層，位于所述第二介質層上。

3.根據權利要求2所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述介質層的材料包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

4.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述連接布線層包括：

圖形化的第一絕緣層；

圖形化的布線層，形成于所述第一絕緣層上，所述布線層與所述金屬連接柱電性連接；

圖形化的第二絕緣層，形成于所述布線層上，所述金屬連接柱穿過所述第二絕緣層與所述布線層連接。

5.根據權利要求4所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述第一絕緣層中具有窗口，所述窗口顯露所述布線層，所述存儲芯片與所述被動組件通過所述窗口與所述布線層連接。

6.根據權利要求4所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述第二絕緣層中形成有顯露所述布線層的通孔，所述金屬連接柱通過電鍍工藝形成于所述所述通孔。

7.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種。

8.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述存儲芯片包括ePoP存儲器。

9.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述被動組件包括多個被動元件，所述被動元件包括電阻、電容及電感中的一種。

10.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述封裝層的頂面超出所述系統級芯片以及電源管理芯片的頂面的厚度介于0微米～10微米。

11.根據權利要求1所述的扇出型系統級封裝結構，其特征在于：所述扇出型系統級封裝結構的厚度不大于1毫米。