[發(fā)明專利]含氮化合物、電子元件及電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010280898.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111393420B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬天天;楊敏;南朋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陜西萊特光電材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07D405/14 | 分類號(hào): | C07D405/14;C07D471/04;C07D409/14;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 闞梓瑄 |
| 地址: | 710114 陜西省*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 電子元件 電子 裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N含氮化合物、電子元件及電子裝置,涉及有機(jī)材料技術(shù)領(lǐng)域。該含氮化合物如式I?1所示,本申請(qǐng)的含氮化合物具有能夠降低電子元件的工作電壓、提高器件效率和延長(zhǎng)器件壽命的特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及有機(jī)材料領(lǐng)域,具體而言,涉及一種含氮化合物、電子元件及電子裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,電子元件受到廣泛應(yīng)用,例如:有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED,Organic electroluminescent device)作為新一代顯示裝置逐漸進(jìn)入人們的視野。常見的有機(jī)電致發(fā)光器件是由陽(yáng)極、陰極以及設(shè)于陰極和陽(yáng)極之間的有機(jī)層構(gòu)成。當(dāng)向陰極和陽(yáng)極施加電壓時(shí),兩電極產(chǎn)生電場(chǎng),在電場(chǎng)的作用下,陰極側(cè)的電子與陽(yáng)極側(cè)的空穴同時(shí)向發(fā)光層移動(dòng),且其在發(fā)光層結(jié)合形成激子,激子處于激發(fā)態(tài)向外釋放能量,從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)的過(guò)程對(duì)外發(fā)光。
現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件主要包括空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層,但由于各層之間載流子的傳輸性能較差,進(jìn)而使得器件在工作電壓上升,發(fā)光效率降低,壽命縮短,導(dǎo)致器件的性能下降。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)也對(duì)此進(jìn)行了研究,例如:專利文獻(xiàn)KR1020170097242;專利文獻(xiàn)KR1020170161944及專利文獻(xiàn)KR1020170048045。
需要說(shuō)明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種含氮化合物、電子元件及電子裝置,可降低工作電壓、提高發(fā)光效率,延長(zhǎng)器件壽命。
根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面,提供一種含氮化合物,所述含氮化合物的結(jié)構(gòu)通式如式I-1所示:
其中,X為氧或硫;
R選自:取代或未取代的成環(huán)碳原子數(shù)為1-10的雜環(huán)烷基、取代或未取代的成環(huán)碳原子數(shù)為5-15的雜芳基;
且所述R不為
L選自:?jiǎn)捂I、取代或未取代的碳原子數(shù)為6-30的亞芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-30亞雜芳基;
所述R的取代基選自:氘、硝基、羥基、烷基、環(huán)烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、雜環(huán)烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、鹵素基團(tuán)、氰基、鹵代烷基;
所述L的取代基選自:氘、硝基、羥基、烷基、環(huán)烷基、烯基、炔基、雜環(huán)烷基、烷氧基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、芳氧基、芳硫基、鹵素基團(tuán)、氰基、鹵代烷基;
Ra和Rb相同或不同,且各自獨(dú)立地選自氘、鹵素基團(tuán)、氰基、碳原子數(shù)為3-10的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為2-10的雜環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1-15的烷基和碳原子數(shù)為6-30的芳基、碳原子數(shù)為3-30的雜芳基;na是Ra的個(gè)數(shù),nb是Rb的個(gè)數(shù);
na選自0、1、2、3或4,當(dāng)na大于1時(shí),任意兩個(gè)Ra相同或者不相同;
nb選自0、1、2,當(dāng)nb大于1時(shí),任意兩個(gè)Rb相同或者不相同;
Ar1、Ar2相同或不同,且分別獨(dú)立地選自取代或未取代的碳原子數(shù)為6-30的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3-30的雜芳基;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西萊特光電材料股份有限公司,未經(jīng)陜西萊特光電材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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