[發(fā)明專利]一種電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010280833.3 | 申請日： | 2020-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN111478045A | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邾志民;王義金;簡憲靜;韓永健 | 申請（專利權(quán)）人： | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號： | H01Q1/52 | 分類號： | H01Q1/52;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/28;H01Q5/50;H01Q15/14 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;湯明明 |
| 地址： | 523860 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電子設(shè)備 | ||
1.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：金屬邊框、第一絕緣介質(zhì)體和饋電針，所述金屬邊框上開設(shè)有容置槽，所述第一絕緣介質(zhì)體至少部分設(shè)置于所述容置槽內(nèi)，所述容置槽內(nèi)開設(shè)有饋電通孔，所述饋電針通過所述饋電通孔穿設(shè)于所述第一絕緣介質(zhì)體內(nèi)，在所述饋電針輸入的激勵信號的作用下，所述第一絕緣介質(zhì)體發(fā)生電磁輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述饋電通孔的數(shù)量為N個，且所述饋電通孔與所述饋電針的數(shù)量一一對應(yīng)，所述N為大于1的整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述饋電針構(gòu)成至少一對差分饋電端口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電子設(shè)備，其特征在于，N個所述饋電通孔均開設(shè)于所述容置槽的槽底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)體與所述容置槽的側(cè)壁之間還設(shè)置有第二絕緣介質(zhì)體，且所述第二絕緣介質(zhì)體環(huán)繞所述第一絕緣介質(zhì)體設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)大于所述第二絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)體上背離所述容置槽的槽底的表面上層疊設(shè)置有第三絕緣介質(zhì)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)大于所述第三絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)體與所述容置槽的側(cè)壁之間還設(shè)置有第二絕緣介質(zhì)體，且所述第二絕緣介質(zhì)體環(huán)繞所述第一絕緣介質(zhì)體設(shè)置，所述第三絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)大于或等于所述第二絕緣介質(zhì)體的介電常數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述金屬邊框上開設(shè)有M個所述容置槽，每一個所述容置槽內(nèi)均設(shè)置有所述第一絕緣介質(zhì)體和所述饋電針，M個所述容置槽陣列分布，所述M為大于1的整數(shù)。
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