[發明專利]頂發射式半導體發光器件

在審

• 申請號: 202010280757.6
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN111628062A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: B.J.莫蘭;M.A.德桑伯;G.巴辛;N.A.M.斯維格斯;M.M.巴特沃爾思;K.萬波拉;C.馬澤伊爾
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/50;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/56;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 江鵬飛;陳嵐

1.一種器件，包括：

包括在n型區與p型區之間的發光層的半導體結構；

附連到半導體結構的生長襯底；以及

布置在生長襯底的與附連到半導體結構的生長襯底的表面相對的表面之上的波長轉換層；

布置在生長襯底的側壁、波長轉換層的側壁以及半導體結構的側壁上的反射層，使得反射層的頂表面與波長轉換層的頂表面共面。

2.權利要求1的器件，其中波長轉換層與半導體結構分離地形成并且附連到生長襯底。

3.一種方法，包括：

在生長襯底上形成多個半導體發光器件；

將所述多個半導體發光器件附連到載體；

移除半導體發光器件之間的生長襯底的第一部分而同時生長襯底的多個第二部分保留在半導體發光器件上；

在半導體發光器件和生長襯底的第二部分之間的區域中布置反射材料，使得反射層的頂表面與生長襯底的頂表面共面；

通過切割反射材料來使兩個相鄰的半導體發光器件分離，使得每一個半導體發光器件包括其上生長半導體發光器件的半導體部分的生長襯底的第二部分之一；以及

移除載體。

4.權利要求3的方法，其中將多個半導體發光器件附連到載體包括將多個半導體發光器件形成于其上的生長襯底晶片附連到載體，方法還包括在半導體發光器件之間的區域中的生長襯底晶片中形成槽，其中在半導體發光器件之間的區域中布置反射材料包括在槽中布置反射材料。

5.權利要求3的方法，還包括在半導體發光器件之間的區域中布置反射材料之前，將波長轉換構件附連到多個半導體發光器件中的每一個，其中波長轉換構件與半導體發光器件分離地形成。

6.權利要求3的方法，還包括在半導體發光器件之間的區域中布置反射材料之后，在多個半導體發光器件之上形成波長轉換層。

7.權利要求3的方法，其中將多個半導體發光器件附連到載體包括將多個波長轉換構件附連到載體；以及將半導體發光器件附連到每一個波長轉換構件。

8.權利要求3的方法，還包括在將多個半導體發光器件附連到載體之前，在多個半導體發光器件中的每一個上布置波長轉換層。

9.權利要求3的方法，其中在半導體發光器件之前的區域中布置反射材料包括：

在半導體發光器件的第一表面上形成掩模層；

在多個半導體發光器件的側壁和掩模層之上形成反射層；以及

移除掩模層；

方法還包括在移除掩模層之后，在半導體發光器件的第一表面之上形成波長轉換層。

10.權利要求1的方法，其中生長襯底具有小于150微米的厚度。

11.權利要求1的方法，其中生長襯底具有成角側壁。