[發明專利]顯示裝置及形成其的方法

在審

• 申請號: 202010279672.6
• 申請日: 2020-04-10
• 公開（公告）號: CN112670428A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 張耀文;蔡子中;朱彥璋;林佳樺
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發明的各種實施例涉及一種顯示裝置及形成其的方法。顯示裝置包括設置在半導體襯底的上方的隔離結構。電極至少局部地設置在隔離結構的上方。發光結構設置在電極的上方。導電性反射器設置在隔離結構下方且電耦合到電極。導電性反射器至少局部地設置在發光結構的側壁之間。導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。本發明涉及一種具有反射率得到提高的反射器的顯示裝置。

技術領域

本公開的實施例涉及一種顯示裝置及形成其的方法。

背景技術

例如電視及蜂窩式裝置等諸多現代電子裝置均使用圖像顯示裝置來將數字數據轉換成光學圖像。為實現此目的，圖像顯示裝置可包括像素區陣列。每一像素區可具有發光結構且可耦合到半導體裝置。半導體裝置可對發光結構選擇性地施加電信號(例如，電壓)。在施加所述電信號之后，發光結構可發射光學信號(例如，光)。舉例來說，發光結構可以是有機發光二極管(organic light emitting diode，OLED)或一些其他適合的發光裝置。

發明內容

本公開實施例的一種顯示裝置，包括：隔離結構，設置在半導體襯底的上方；電極，至少局部地設置在所述隔離結構的上方；發光結構，設置在所述電極的上方；以及導電性反射器，設置在所述隔離結構下方且電耦合到所述電極，其中所述導電性反射器至少局部地設置在所述發光結構的側壁之間，且其中所述導電性反射器包含摻雜非金屬的鋁材料。

本公開實施例的一種顯示裝置，包括：內連結構，設置在半導體襯底的上方；隔離結構，設置在所述內連結構及所述半導體襯底的上方；電極，至少局部地設置在所述隔離結構的上方，其中所述電極朝所述內連結構延伸到所述隔離結構中；發光結構，設置在所述電極的上方且至少局部地位于所述電極的側壁之間；以及導電性反射器，設置在所述內連結構與所述隔離結構之間，其中：所述導電性反射器電耦合到所述內連結構及所述電極；所述導電性反射器包括摻雜金屬的鋁結構，所述摻雜金屬的鋁結構包含摻雜金屬的鋁材料；所述導電性反射器包括摻雜非金屬的鋁結構，所述摻雜非金屬的鋁結構包含摻雜非金屬的鋁材料；且所述摻雜非金屬的鋁結構設置在所述摻雜金屬的鋁結構的上方。

本公開實施例的一種形成顯示裝置的方法，所述方法包括：接收工件，所述工件包括半導體襯底、設置在所述半導體襯底的上方的內連結構及設置在所述內連結構及所述半導體襯底的上方的第一介電層；在所述第一介電層中形成第一開口，其中所述第一開口暴露出所述內連結構的一部分；在所述第一介電層的上方及在所述第一開口中形成摻雜非金屬的鋁層；移除所述摻雜非金屬的鋁層的上部部分，以使得所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上表面與所述第一介電層的上表面實質上對齊；在所述第一介電層的上方及在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的上方形成第二介電層；在所述第二介電層中形成第二開口；在所述第二介電層的上方及在所述第二開口中形成電極，其中所述電極電耦合到所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分；以及在所述電極的上方以及至少局部地在所述摻雜非金屬的鋁層的下部部分的側壁之間形成發光結構。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本發明的各方面。注意，根據行業中的標準慣例，各種特征未按比例繪制。事實上，為論述的清晰起見，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1說明具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的一些實施例的剖視圖。

圖2說明圖1所示顯示裝置的區域的一些實施例的放大剖視圖。

圖3說明圖1所示顯示裝置的一些其他實施例的剖視圖。

圖4說明圖3所示顯示裝置的區域的一些實施例的放大剖視圖。

圖5說明圖1所示顯示裝置的一些其他實施例的剖視圖。

圖6到圖15說明形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的一些實施例的一系列剖視圖。

圖16說明用于形成具有反射率得到提高的導電性反射器的顯示裝置的方法的一些實施例的流程圖。