[發明專利]多晶硅還原爐的涂層及其制備方法、多晶硅還原爐及其用途

有效

• 申請號: 202010275300.6
• 申請日: 2020-04-09
• 公開（公告）號: CN111334788B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 張寶順;王體虎;宗冰
• 申請（專利權）人: 亞洲硅業(青海)股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術有限公司
• 主分類號: C23C24/04
• 分類號: C23C24/04;B22F1/00;C01B33/021;C01B33/03;C01B33/035
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉建榮

1.一種多晶硅還原爐的涂層的制備方法，其特征在于，包括：

利用第一冷氣體動力噴涂在所述多晶硅還原爐與物料接觸的表面噴涂第一顆粒形成基層；

利用第二冷氣體動力噴涂在所述基層遠離所述多晶硅還原爐的表面噴涂第二顆粒形成面層，

其中，所述第一冷氣體動力噴涂的第一顆粒的速度和所述第二冷氣體動力噴涂的第二顆粒的速度均為超音速，且所述第一顆粒的速度大于所述第二顆粒的速度；

所述基層和所述面層適于反射紅外輻射；

所述第一冷氣體動力噴涂的溫度高于所述第二冷氣體動力噴涂的溫度，和/或，

所述第一冷氣體動力噴涂的壓力高于所述第二冷氣體動力噴涂的壓力；

所述第一冷氣體動力噴涂的溫度為550-750℃，壓力為5-10MPa；

所述第二冷氣體動力噴涂的溫度為500-700℃，壓力為3.5-5Mpa；

所述第一顆粒的速度比所述第二顆粒的速度大5-20％；

所述第一顆粒的速度為525-1380m/s，所述第二顆粒的速度為500-1150m/s；

所述第一顆粒包括50-80V％的帶菱角粉末和20-50V％的球形粉末；

在所述第一顆粒中，帶菱角粉末的粒徑為5-10微米，球形粉末的粒徑為10-20微米；

所述第二顆粒包括5-10V％的帶菱角粉末和90-95V％的球形粉末；

在所述第二顆粒中，帶菱角粉末的粒徑為5-15微米，球形粉末的粒徑為5-45微米；

所述第二顆粒的平均粒徑大于所述第一顆粒的平均粒徑。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基層的厚度為0.05-2mm，和/或，所述面層的厚度為0.05-19.95mm。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述涂層的厚度為0.1-20mm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基層和所述面層各自獨立地包括金、銀和銅中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一顆粒中的球形粉末和/或所述第二顆粒中的球形粉末由氣霧法制備得到。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述多晶硅還原爐與物料接觸的表面包括：鐘罩、底盤及電極中的至少一個與物料接觸的表面。

7.一種多晶硅還原爐的涂層，其特征在于，是利用權利要求1-6任一項所述的制備方法制備得到的。

8.一種多晶硅還原爐，其特征在于，包括權利要求7所述的涂層。

9.一種權利要求8所述的多晶硅還原爐在生產多晶硅中的用途。