[實用新型]LED芯片

有效

• 申請號: 201821414026.0
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN208608219U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 張文雁
• 申請（專利權）人: 深圳合作照明有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本實用新型實施例提供了一種LED芯片，包括：依次形成在襯底上的第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層；形成在第二導電類型半導體層的缺口，暴露出部分第一導電類型半導體層；形成在襯底邊緣位置的第一通孔和第二通孔；形成在第一通孔內壁的第一內壁絕緣層和形成在第二通孔內壁的第二內壁絕緣層；形成在第一內壁絕緣層內的第一金屬附著層，延伸至第二導電類型半導體層表面和襯底表面；形成在第二內壁絕緣層內的第二金屬附著層，延伸至第一導電類型半導體層表面和襯底表面。本實用新型提供的技術方案，通過通孔內填充的金屬附著層，分別將LED芯片內的半導體層的電信號引出，提高了LED芯片的穩定性，提升了LED芯片的產品性能。

技術領域

本實用新型屬于光電子技術領域，尤其涉及一種LED芯片。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)因其高亮度、低熱量、長壽命等優點，被稱為21世紀最有發展前景的綠色照明光源，被用于各種應用產品包括光源、照明設備、智能終端等。而在智能終端日益輕薄化，可穿戴電子備受矚目的今天，LED芯片的封裝大小和功能的融合變得日趨重要。

現有技術中的LED芯片的封裝結構中，LED的芯片包括的第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層的電信號的引出，是通過焊線實現的，具體的，通過焊線分別與第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層電連接。焊線和外部焊盤電連接。

但是焊線分別與第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層電連接的結構，穩定性較差，極大影響了LED芯片的產品性能。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提出一種LED芯片，解決了現有技術中通過焊線分別與第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層電連接的結構，穩定性較差，極大影響了LED芯片的產品性能的技術問題。

本實用新型實施例提供了一種LED芯片，包括：

襯底；

依次形成在襯底上的第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層；

形成在所述第二導電類型半導體層邊緣位置的缺口，貫穿所述第二導電類型半導體層和所述發光層，暴露出部分所述第一導電類型半導體層；

形成在所述襯底邊緣位置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔貫穿所述襯底、所述第一導電類型半導體層、所述發光層和所述第二導電類型半導體層；所述第二通孔，在垂直于所述襯底長度的延伸方向上，所述第二通孔在所述襯底上的投影位于所述缺口在所述襯底上的投影內，所述第二通孔貫穿所述襯底和所述第一導電類型半導體層；

形成在所述第一通孔內壁的第一內壁絕緣層和形成在所述第二通孔內壁的第二內壁絕緣層；

形成在所述第一內壁絕緣層內的第一金屬附著層，延伸至所述第二導電類型半導體層表面和所述襯底表面；

形成在所述第二內壁絕緣層內的第二金屬附著層，延伸至所述第一導電類型半導體層表面和所述襯底表面。

可選的，還包括形成在所述襯底遠離所述第一導電類型半導體層的表面的第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤與延伸至所述襯底表面的所述第一金屬附著層電連接，所述第二焊盤與延伸至襯底表面的所述第二金屬附著層電連接。

可選的，還包括出光層，覆蓋所述第一導電類型半導體層和所述第二導電類型半導體層、延伸至所述第二導電類型半導體層表面的第一金屬附著層和延伸至所述第一導電類型半導體層表面的第二金屬附著層。

可選的，所述第一內壁絕緣層包括多層絕緣材料形成的疊層。

可選的，所述第二內壁絕緣層包括多層絕緣材料形成的疊層。

可選的，在所述第一通孔內，所述第一金屬附著層填充滿所述第一內壁絕緣層形成的空間。