[實用新型]LED芯片有效
| 申請號： | 201821414026.0 | 申請日： | 2018-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN208608219U | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 張文雁 | 申請（專利權）人： | 深圳合作照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 內壁 導電類型半導體層 第一導電類型 金屬附著層 半導體層 通孔 本實用新型 襯底表面 通孔內壁 半導體層表面 產品性能 襯底邊緣 發光層 延伸 襯底 填充 暴露 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括：
襯底；
依次形成在襯底上的第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層；
形成在所述第二導電類型半導體層邊緣位置的缺口，貫穿所述第二導電類型半導體層和所述發光層，暴露出部分所述第一導電類型半導體層；
形成在所述襯底邊緣位置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔貫穿所述襯底、所述第一導電類型半導體層、所述發光層和所述第二導電類型半導體層；所述第二通孔，在垂直于所述襯底長度的延伸方向上，所述第二通孔在所述襯底上的投影位于所述缺口在所述襯底上的投影內，所述第二通孔貫穿所述襯底和所述第一導電類型半導體層；
形成在所述第一通孔內壁的第一內壁絕緣層和形成在所述第二通孔內壁的第二內壁絕緣層；
形成在所述第一內壁絕緣層內的第一金屬附著層，延伸至所述第二導電類型半導體層表面和所述襯底表面；
形成在所述第二內壁絕緣層內的第二金屬附著層，延伸至所述第一導電類型半導體層表面和所述襯底表面。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
還包括形成在所述襯底遠離所述第一導電類型半導體層的表面的第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤與延伸至所述襯底表面的所述第一金屬附著層電連接，所述第二焊盤與延伸至襯底表面的所述第二金屬附著層電連接。
3.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
還包括出光層，覆蓋所述第一導電類型半導體層和所述第二導電類型半導體層、延伸至所述第二導電類型半導體層表面的第一金屬附著層和延伸至所述第一導電類型半導體層表面的第二金屬附著層。
4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第一內壁絕緣層包括多層絕緣材料形成的疊層。
5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第二內壁絕緣層包括多層絕緣材料形成的疊層。
6.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
在所述第一通孔內，所述第一金屬附著層填充滿所述第一內壁絕緣層形成的空間。
7.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
在所述第二通孔內，所述第二金屬附著層填充滿所述第二內壁絕緣層形成的空間。
8.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
還包括驅動電路，分別與所述第一焊盤和所述第二焊盤電連接。
9.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型；或者，
所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳合作照明有限公司，未經深圳合作照明有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821414026.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種紫外LED垂直結構芯片
- 下一篇：LED支架及LED燈珠
