[發明專利]一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202010269682.1
• 申請日: 2020-04-08
• 公開（公告）號: CN111463317A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 廖暉;馬玉超;單偉;何勝;徐偉智
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司;海寧正泰新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

本申請公開了一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制備方法，方法包括：在制絨后的P型硅襯底正表面進行擴散沉積預處理得到用于形成N+層的擴散沉積層；去除用于制備正面金屬柵線的位置處的擴散沉積層，在該位置處制備SiO₂隧穿層，在SiO₂隧穿層表面設置N型多晶硅層；并使擴散沉積層形成N+層；在N+層表面沉積第一鈍化層，在P型硅襯底背表面沉積第二鈍化層；在N型多晶硅層上制備正面電極，在P型硅襯底背表面制備背面電場。本申請公開的上述技術方案，僅在襯底正表面用于制備正面金屬柵線的位置處設置N型鈍化接觸結構，以減少N型多晶硅層對太陽光的吸收，從而提高電池對太陽光的利用率，進而提高電池的電流密度和轉換效率。

技術領域

本申請涉及太陽能電池制備技術領域，更具體地說，涉及一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制備方法。

背景技術

鈍化接觸太陽能電池技術是由Fraunhofer研究提出并在之后得到廣泛應用。

目前，在將鈍化接觸技術應用在P型襯底上以得到P型鈍化接觸太陽能電池時，通常是在P型硅正面采用全鈍化接觸技術，并疊加鈍化層實現電池制備，具體地，是在P型硅的整個正表面設置SiO₂隧穿層和摻雜多晶硅層，并在多晶硅層表面設置鈍化層，但是，由于多晶硅層對光存在寄生損失，因此，多晶硅層會吸收照射至電池上的部分太陽光而轉換為熱能，而這則會降低P型鈍化接觸太陽能電池對太陽光的利用率，從而會降低P型鈍化接觸太陽能電池的電流密度和轉換效率。

綜上所述，如何提高P型鈍化接觸太陽能電池對太陽光的利用率，以提高P型鈍化接觸太陽能電池的電流密度和轉換效率，是目前本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本申請的目的是提供一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制備方法，用于提高P型鈍化接觸太陽能電池對太陽光的利用率，以提高P型鈍化接觸太陽能電池的電流密度和轉換效率。

為了實現上述目的，本申請提供如下技術方案：

一種P型鈍化接觸太陽能電池的制備方法，包括：

在制絨后的P型硅襯底的正表面進行擴散沉積預處理，以得到用于形成N+層的擴散沉積層；

去除用于制備正面金屬柵線的位置處的所述擴散沉積層，并在用于制備正面金屬柵線的位置處制備SiO₂隧穿層，且在所述SiO₂隧穿層表面設置N型多晶硅層，以得到位于用于制備正面金屬柵線的位置處的N型鈍化接觸結構；其中，在設置所述N型多晶硅層的同時使所述擴散沉積層形成N+層；

在所述N+層表面及所述N型鈍化接觸結構表面沉積第一鈍化層，在所述P型硅襯底的背表面沉積第二鈍化層，對所述第二鈍化層進行裸露處理，以將所述P型硅襯底背表面用于制備背面電場的位置裸露出來；

在所述N型多晶硅層上制備正面金屬柵線，并在所述P型硅襯底背表面制備背面電場，以得到P型鈍化接觸太陽能電池。

優選的，去除用于制備正面金屬柵線的位置處的所述擴散沉積層，包括：

在所述擴散沉積層表面設置掩膜層，并利用激光去除用于制備正面金屬柵線的位置處的所述掩膜層；

相應地，在所述N+層表面及所述N型鈍化接觸結構表面沉積第一鈍化層之前，還包括：

去除所述N+層表面所設置的所述掩膜層。

優選的，在所述SiO₂隧穿層表面設置N型多晶硅層，其中，在設置所述N型多晶硅層的同時使所述擴散沉積層形成N+層，包括：