[發明專利]反熔絲器件及反熔絲單元在審
| 申請號： | 202010268401.0 | 申請日： | 2020-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN113496987A | 公開（公告）日： | 2021-10-12 |
| 發明（設計）人： | 劉志拯 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;H01L27/108;H01L27/112 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反熔絲 器件 單元 | ||
1.一種反熔絲器件，其特征在于，所述反熔絲器件包括：
襯底；
反熔絲柵極，所述反熔絲柵極部分嵌入所述襯底內，所述反熔絲柵極嵌入所述襯底內的部分具有尖角；
反熔絲柵氧化層，所述反熔絲柵氧化層位于所述反熔絲柵極與所述襯底之間。
2.根據權利要求1所述的反熔絲器件，其特征在于，所述襯底內還具有淺溝槽隔離結構，所述反熔絲柵極同時嵌入所述襯底及所述淺溝槽隔離結構內。
3.根據權利要求2所述的反熔絲器件，其特征在于，所述反熔絲柵極嵌入所述淺溝槽隔離結構內的深度大于所述反熔絲柵極嵌入所述襯底內的深度。
4.根據權利要求3所述的反熔絲器件，其特征在于，所述尖角為直角或鈍角。
5.根據權利要求4所述的反熔絲器件，其特征在于，所述尖角處的反熔絲柵氧化層的厚度小于非尖角處的反熔絲柵氧化層的厚度。
6.根據權利要求2至5中任一項所述的反熔絲器件，其特征在于，所述反熔絲器件還包括一重摻雜區，所述重摻雜區位于所述襯底內，且位于所述反熔絲柵極遠離所述淺溝槽隔離結構的一側。
7.根據權利要求6所述的反熔絲器件，其特征在于，所述反熔絲器件還包括反熔絲注入區，所述反熔絲注入區位于所述襯底內，所述反熔絲注入區包覆所述反熔絲柵極嵌入所述襯底內的部分，且所述反熔絲注入區包覆所述重摻雜區。
8.根據權利要求6所述的反熔絲器件，其特征在于，所述重摻雜區和所述反熔絲注入區的摻雜類型均為N型。
9.一種反熔絲單元，其特征在于，所述反熔絲單元包括：
如權利要求6至8中任一項所述的反熔絲器件；
晶體管，位于所述反熔絲柵極遠離所述淺溝槽隔離結構的一側，所述晶體管具有源極摻雜區和漏極摻雜區，所述源極摻雜區或所述漏極摻雜區與所述反熔絲器件電連接。
10.根據權利要求9所述的反熔絲單元，其特征在于，所述源極摻雜區或所述漏極摻雜區與所述重摻雜區至少部分重疊。
11.根據權利要求10所述的反熔絲單元，其特征在于，所述晶體管為非對稱晶體管，晶體管的所述部分重疊區域一側沒有輕摻雜漏結構。
12.根據權利要求10所述的反熔絲單元，其特征在于，反熔絲柵氧化層的厚度小于等于所述晶體管的柵極氧化層的厚度。
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