[發(fā)明專利]用于大面積顯微光致熒光掃描與測(cè)繪測(cè)量的系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010266113.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113495062A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡明聰;洪瑜亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 旭臻科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/64 | 分類號(hào): | G01N21/64;G02B26/10 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 大面積 顯微 熒光 掃描 測(cè)繪 測(cè)量 系統(tǒng) | ||
一種用于大面積顯微光致熒光掃描與測(cè)繪測(cè)量的系統(tǒng),包含一提供激光束的激光光源、一供放置待測(cè)工件且能夠進(jìn)行位移的測(cè)量載臺(tái)、一具有X?Y光學(xué)掃描鏡頭的振鏡掃描模塊、一視覺(jué)模塊、一光譜儀以及一控制單元;當(dāng)激光束投射至待測(cè)工件上將產(chǎn)生一光致熒光的響應(yīng)光束,且視覺(jué)模塊與光譜儀所連接的分光鏡組,皆設(shè)于該激光束與響應(yīng)光束的傳遞途徑上;以此,經(jīng)由該視覺(jué)模塊以檢視并調(diào)整相關(guān)構(gòu)件的設(shè)定狀態(tài),繼而該控制單元將驅(qū)使該X?Y光學(xué)掃描鏡頭與該測(cè)量載臺(tái)協(xié)同位移,使該激光束對(duì)應(yīng)地投射在所欲掃描的位置上,再由該光譜儀記錄其響應(yīng)光束的光譜信號(hào);本系統(tǒng)將擇點(diǎn)反復(fù)進(jìn)行激光束的投射與其光譜信號(hào)的記錄,進(jìn)而完成大面積擇點(diǎn)掃描的測(cè)量作業(yè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種測(cè)量系統(tǒng),尤指應(yīng)用振鏡掃描模塊與測(cè)量載臺(tái)的協(xié)同位移,使激光束得以擇點(diǎn)掃描,并以光譜儀記錄其響應(yīng)光譜信號(hào)的一種顯微光致熒光掃描測(cè)量系統(tǒng)及其方法。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管LED(Light-Emitting Diode)為一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子零件,其外觀呈橢圓形,尺寸僅為一顆綠豆大小,但發(fā)光只有其中的晶粒(Die)部分;目前商業(yè)上是先成長(zhǎng)晶棒,切割成晶圓,再使用“有基金屬化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical VaporDeposition)”成長(zhǎng)不同材料的磊晶(單晶薄膜),并在磊晶上制作發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu),最后再切割成一顆顆的晶粒,封裝成發(fā)光二極管LED元件。
LED晶粒的尺寸大約1毫米(mm),只能用來(lái)制作單色發(fā)光二極管指示牌或是大尺寸的電視墻;但隨著技術(shù)的演進(jìn),廠商已開發(fā)出“微發(fā)光二極管(Micro LED)”邊長(zhǎng)小于10微米(μm)的晶粒,而Micro LED是一種直接利用RGB三原色LED作為自發(fā)光顯示點(diǎn)像素,直接種在晶圓上的顯示技術(shù);其原理主要是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行薄膜化、微小化與陣列化,并將LED縮小到至少原本LED的1%,使其具備低功耗、高亮度、超高分辨率與色彩飽和度等特性。
光致熒光(Photoluminescence,PL),是利用一激光光源作為激發(fā)源,將其照射在發(fā)光二極管表面以產(chǎn)生一對(duì)應(yīng)的光致熒光,并經(jīng)由光學(xué)鏡組收光,再進(jìn)入到光譜儀來(lái)分析其亮度與特定的波長(zhǎng);換言之,在磊晶未經(jīng)切割封裝前,即應(yīng)用光致熒光的原理,輔以光譜儀的測(cè)量與分析,來(lái)取得LED磊晶的光致熒光頻譜,一方面可供判定其磊晶的制程合格率,也可供制造商判定制程條件是否落在規(guī)范內(nèi),以及預(yù)估最終成品的質(zhì)量狀態(tài)。
目前,業(yè)界檢測(cè)LED磊晶的頻譜作法之一為:將傳統(tǒng)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AutomatedOptical Inspection,AOI)的白光源改為外掛式激光激發(fā)源(側(cè)打式),進(jìn)行大面積激發(fā)待測(cè)工件,并輔以X-Y平移臺(tái)以實(shí)現(xiàn)大面積的測(cè)繪;但是,發(fā)光二極管表面受到一外掛激光光源側(cè)向激發(fā)后,光學(xué)鏡組將收到一個(gè)大范圍區(qū)域內(nèi)的晶粒同時(shí)產(chǎn)生光致熒光(約數(shù)百微米至數(shù)十毫米等級(jí)),這將造成一平均結(jié)果,使信噪比(Signal-to-noise ratio,S/N)降低;即后續(xù)光譜儀所分析的頻譜特征強(qiáng)度為一大面積下的平均值,雖然輔以X-Y平移臺(tái)能取得待測(cè)工件大面積的光致熒光頻譜分布圖,但由于測(cè)量結(jié)果為一平均值,因此該頻譜分布圖往往僅能供作參考;此問(wèn)題將在檢測(cè)Micro LED的晶粒時(shí)更顯嚴(yán)重,這是由于當(dāng)檢測(cè)的目標(biāo)為一微小晶粒時(shí),平均一大面積下的頻譜數(shù)據(jù)將使欲檢測(cè)的晶粒頻譜特定強(qiáng)度因平均而下降,信噪比(Signal-to-noise ratio,S/N)的降低,將使得該晶粒的頻譜特定強(qiáng)度辨識(shí)不易,進(jìn)而影響后續(xù)的分析。
現(xiàn)有檢測(cè)LED磊晶頻譜的另一種作法為:將激光激發(fā)光束導(dǎo)入一聚焦鏡組,聚焦激光光斑后再激發(fā)于待測(cè)工件其小范圍區(qū)域內(nèi)的晶粒,并輔以X-Y平移臺(tái)以實(shí)現(xiàn)大面積測(cè)繪;但是,將激光激發(fā)光源導(dǎo)入一聚焦鏡組,雖能縮小激發(fā)光斑的大小(達(dá)到數(shù)十至數(shù)百微米),進(jìn)而改善大面積下其頻譜特征強(qiáng)度辨識(shí)不易的缺失,但實(shí)現(xiàn)大面積測(cè)繪仍采用傳統(tǒng)的X-Y平移臺(tái),由于軸向位移的機(jī)構(gòu)屬于機(jī)械式,其每一動(dòng)作的位移速度慢,因此將影響待測(cè)工件的檢測(cè)速度。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





