[發明專利]一種CVD金剛石陷波濾波片裝置在審
| 申請號: | 202010260749.5 | 申請日: | 2020-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN111399157A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 趙芬霞;劉宏明 | 申請(專利權)人: | 湖州中芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B7/00 | 分類號: | G02B7/00 |
| 代理公司: | 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616 | 代理人: | 鄧凌云 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cvd 金剛石 陷波 濾波 裝置 | ||
本發明涉及光學技術領域,且公開了一種CVD金剛石陷波濾波片裝置,包括工作臺,工作臺的上端右側固定連接有外殼,外殼上端為開通設置,且外殼的上端通過合頁鉸接有蓋板,外殼的內部設有放置槽,放置槽的上端固定連接有金剛石單晶片,外殼的下內側壁固定連接有橫向設置的滑軌,滑軌的內部滑動連接有滑塊,滑塊的上端與放置槽的下端中部固定連接,滑軌的內部設有橫向設置的第一螺紋桿。該CVD金剛石陷波濾波片裝置,便于對金剛石單晶片、光學窗口和激光光源之間的距離進行調節,且便于對激光光源的高度進行調節,從而便于調節對金剛石單晶片的激光照射效果,便于提高金剛石單晶片的濾波效果,從而提高濾波片的耐受光功率密度,便于人們使用。
技術領域
本發明涉及光學技術領域,具體為一種CVD金剛石陷波濾波片裝置。
背景技術
CVD金剛石,含碳氣體和氧氣的混合物在高溫和低于標準大氣壓的壓力下被激發分解,形成活性金剛石碳原子,并在基體上沉積交互生長成聚晶金剛石(或控制沉積生長條件沉積生長金剛石單晶或者準單晶)。
目前,人們通過采用CVD精鋼石制成濾波片,通過使用濾波片對光線進行濾波作用,但是現有技術中,濾波片在使用時,無法進行有效調節,從而對于不同的光線濾波效果不同,導致光學濾波片耐受光功率密度低,不便于人們使用。
發明內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本發明提供了一種CVD金剛石陷波濾波片裝置,具備可以對金剛石單晶片、光學窗口和激光光源之間的距離進行調節等優點,解決了光學濾波片耐受光功率密度低的問題。
(二)技術方案
為實現上述可以對金剛石單晶片、光學窗口和激光光源之間的距離進行調節的目的,本發明提供如下技術方案:一種CVD金剛石陷波濾波片裝置,包括工作臺,所述工作臺的上端右側固定連接有外殼,所述外殼上端為開通設置,且外殼的上端通過合頁鉸接有蓋板,所述外殼的內部設有放置槽,所述放置槽的上端固定連接有金剛石單晶片,所述外殼的下內側壁固定連接有橫向設置的滑軌,所述滑軌的內部滑動連接有滑塊,所述滑塊的上端與放置槽的下端中部固定連接,所述滑軌的內部設有橫向設置的第一螺紋桿,所述第一螺紋桿與滑塊螺紋套接,所述第一螺紋桿的左右兩端均通過第一滾動軸承分別與滑軌的左右兩側轉動連接,且第一螺紋桿的右端延伸至外殼的外部設置,所述外殼的左側壁設有光學窗口,所述外殼的左側設有U形板,所述U形板的內部設有光源,所述光源的上端通過第二滾動軸承轉動連接有升降螺紋桿,所述升降螺紋桿的上端貫穿U形板的上側壁并與U形板螺紋連接,所述光源的前后兩側均固定連接有限位滑塊,所述U形板的前后兩側均開設有與限位滑塊相匹配的限位滑槽,所述工作臺的上端左側設有移動機構并通過移動機構與U形板的下端連接。
優選的,所述外殼的上端左側固定嵌設有第一磁鐵,所述蓋板的下端左側固定嵌設有第二磁鐵,所述第一磁鐵和第二磁鐵的磁性反向設置。
優選的,所述放置槽與金剛石單晶片之間通過光學膠進行固定連接。
優選的,所述放置槽的下端固定連接有兩個對稱設置的移動塊,兩個所述移動塊分別位于滑塊的前后兩側設置,兩個所述移動塊的側壁均通過通孔滑動套設有滑桿,所述滑桿的左右兩端分別與外殼的左右兩個側壁固定連接。
優選的,所述第一螺紋桿位于外殼外部的一端固定連接有第一旋鈕,所述第一旋鈕的表面設有第一防滑紋。
優選的,所述升降螺紋桿的上端固定連接有第二旋鈕,所述第二旋鈕的表面設有第二防滑紋。
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