[發明專利]制造用于半導體器件的引線框的方法、相應的引線框和半導體器件

在審

• 申請號: 202010260626.1
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN111799176A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: P·馬格尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

本公開的各實施例涉及制造用于半導體器件的引線框的方法、相應的引線框和半導體器件。通過提供由激光直接構造材料的層壓襯底來制造半導體器件的引線框，該層壓襯底包括相對的第一表面和第二表面，對襯底應用激光束處理，以提供在第一表面處的導電圖案的第一圖案、在第二表面處的導電圖案的第二圖案以及在第一表面和第二表面之間穿過襯底的導電通孔。例如，經由將諸如銅的導電材料電解生長或無電生長到，通過將激光束處理應用到襯底而提供的導電形成物的第一圖案和第二圖案上以及導電通孔，來形成導電材料。導電通孔耦合到導電形成物的第一圖案和導電形成物的第二圖案中的導電形成物中的一個或兩個導電形成物。

技術領域

本描述涉及制造半導體器件。

例如，一個或多個實施例可以應用于制造用于諸如集成電路 (IC)的半導體器件的引線框。

背景技術

當前可使用各種技術來制造用于各種類型的半導體器件的引 線框/襯底，例如QFN(四方扁平無引線)、LGA(地柵陣列)、 BGA(球柵陣列)半導體器件。

所謂的“無芯”引線框技術有助于按原樣使用引線框，即無 需膠帶(tape)支持。

當前被稱為MIS(模制互連解決方案)的解決方案是無芯引 線框技術可以應用到的設備的示例。

本質上，MIS是一種引線框制造技術，類似于使用模塑料作 為核心的BGA層壓技術。

這種技術有助于實現精細的內部引線尖端間距(例如50/60 微米)，這對于倒裝芯片應用而言是非常理想的。

要注意的是，這樣的布置在制造時可能表現出相對較低的成 品率，其成本超過“標準”帶狀引線框的大約50-100％。

另外，某些常規解決方案可能表現出與例如可能的翹曲有關 的缺點(例如，在金屬載體和薄膜模具的情況下)。

對于MIS技術，在涉及熱預算的組裝步驟之后，可能會觀察 到明顯的引線框翹曲，例如：

利用芯片貼膜(DAF)進行裸片貼附：100℃，幾秒鐘； 利用膠水/DAF進行裸片貼附在190℃下固化1.5小時 引線鍵合(WB)：180-220℃，從幾秒鐘到幾分鐘； (包裝)模制：175℃，40至200秒；和 模制后固化：175℃，從4到12小時。

發明內容

本公開提供克服了前面討論的缺點的一個或多個實施例。

根據一個或多個實施例，可以通過訴諸具有所附權利要求中 提出的特征的方法來克服這種缺陷。

一個或多個實施例可以涉及一種相應的引線框。

一個或多個實施例可以涉及一種相應的設備(例如集成電 路)。

權利要求是本文提供的實施例的技術公開的組成部分。

一個或多個實施例可以提供以下一項或多項優點：

簡化的工藝，有助于避免諸如金屬(銅)層壓、抗蝕劑 層壓、抗蝕劑曝光、金屬蝕刻、抗蝕劑剝離等行為；

在集成電路制造廠(后端)中可能的實現；

減少原型的周期時間；和

降低成本。

一個或多個實施例可以使用激光直接構造(LDS)技術，以 產生具有通過通孔和線的金屬化來代替金屬框架的能力的通孔和 線。