[發明專利]針對靜電放電保護的器件

在審

• 申請號: 202010260583.7
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN111799253A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: E·拉孔德;O·奧里
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種針對靜電放電保護的器件，包括：

第一導電類型的半導體襯底，所述半導體襯底被涂覆有第二導電類型的半導體層；

所述第二導電類型的掩埋區域，位于所述半導體襯底與所述半導體層之間的界面處，并且具有大于所述半導體層的摻雜水平的摻雜水平；

所述第一導電類型的第一阱和第二阱，在所述半導體層的與所述半導體襯底相反的表面的一側上形成在所述半導體層中；

所述第二導電類型的區域，在所述第二阱的與所述半導體襯底相反的表面的一側上形成在所述第二阱中；以及

所述第二導電類型的第一停止溝道區域，具有大于所述半導體層的所述摻雜水平的摻雜水平，所述第一停止溝道區域在所述半導體層的與所述半導體襯底相反的表面的一側上、在橫向地在所述第一阱與所述第二阱之間的位置處形成在所述半導體層中，其中所述第一停止溝道不與所述第一阱或所述第二阱接觸；

其中所述第一阱被電連接到所述器件的第一連接端子，并且其中所述第二阱、以及在所述第二阱中形成的所述第二導電類型的所述區域被電連接到所述器件的第二連接端子。

2.根據權利要求1所述的器件，其中從頂部觀察，所述第一停止溝道區域完全圍繞所述第一阱和所述第二阱中的每個阱。

3.根據權利要求1所述的器件，還包括第一垂直絕緣壁，從頂部觀察，所述第一垂直絕緣壁圍繞所述第一停止溝道區域、以及所述第一阱和所述第二阱，所述第一絕緣壁跨所述半導體層的整個厚度、并且跨所述掩埋層的整個厚度延伸。

4.根據權利要求1所述的器件，還包括第二垂直絕緣壁，所述第二垂直絕緣壁在所述器件的不包括所述掩埋區域的一部分中，所述第二垂直絕緣壁橫向地界定第一二極管，所述第一二極管由所述半導體襯底與所述半導體層之間的結限定。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述半導體層的由所述第二垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被電連接到所述器件的所述第二連接端子。

6.根據權利要求4所述的器件，其中所述半導體層的由所述第二垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被電連接到所述器件的所述第一連接端子，并且其中所述半導體襯底被電連接到所述器件的所述第二連接端子。

7.根據權利要求1所述的器件，還包括：

所述第一導電類型的第三阱和第四阱，在所述半導體層的與所述半導體襯底相反的表面的一側上形成在所述半導體層中；

所述第二導電類型的區域，在所述第四阱的與所述半導體襯底相反的表面的一側上形成在所述第四阱中；以及

所述第二導電類型的第二停止溝道區域，具有大于所述半導體層的摻雜水平的摻雜水平，所述第二停止溝道區域在所述半導體層的與所述半導體襯底相反的表面的一側上、在橫向地在所述第三阱與所述第四阱之間的位置處形成在所述半導體層中，其中所述第二停止溝道不與所述第三阱或所述第四阱接觸；

其中所述第三阱被電連接到所述器件的所述第二連接端子，并且其中所述第四阱、以及在所述第四阱中形成的所述第二導電類型的所述區域被電連接到所述器件的所述第一連接端子。

8.根據權利要求7所述的器件，其中從頂部觀察，所述第二停止溝道區域完全圍繞所述第三阱和所述第四阱中的每個阱。

9.根據權利要求7所述的器件，還包括第三垂直絕緣壁，從頂部觀察，所述第三垂直絕緣壁圍繞所述第二停止溝道區域、以及所述第三阱和所述第四阱，所述第三絕緣壁跨所述半導體層的所述整個厚度、并且跨所述掩埋層的所述整個厚度延伸。

10.根據權利要求1所述的器件，還包括所述第二導電類型的區域，在所述第一阱的與所述半導體襯底相反的表面的所述一側上形成在所述第一阱中，并且其中在所述第一阱中形成的所述第二導電類型的所述區域被電連接到所述器件的所述第一連接端子。