[發明專利]半導體器件及其制造方法、具有半導體器件的電子設備

有效

• 申請號: 202010260243.4
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN111564550B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 龐慰;楊清瑞;張孟倫
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H01L41/047
• 分類號: H01L41/047;H01L41/09;H01L41/293;H01L27/20
• 代理公司: 北京金誠同達律師事務所 11651
• 代理人: 湯雄軍

1.一種半導體器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相對的第一側和第二側；

第一組諧振器單元，設置于基底的第一側，第一組諧振器單元包括SAW單元，SAW單元包括單晶SAW壓電層；和

第二組諧振器單元，設置于基底的第二側，第二組諧振器單元包括單晶FBAR單元，單晶FBAR單元包括單晶壓電層，所述單晶壓電層為單晶壓電薄膜層，

其中：

所述基底包括第一基底和第二基底，所述第一基底具有所述第一側，所述第二基底具有所述第二側；

所述SAW單元為常規SAW單元且單晶SAW壓電層為常規SAW壓電層，所述常規SAW壓電層同時作為所述第一基底；

所述單晶FBAR單元的基底為第二基底；

所述第一基底的一側與所述第二基底的一側連接，所述第一基底的另一側構成所述第一側且設置有SAW電學結構，所述第二基底的另一側構成所述第二側且設置有FBAR壓電層以及FBAR電學結構；且

所述第一基底的厚度至少為所述第二基底的厚度的5倍。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第二基底的材料選自二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中的至少一種；

所述第一基底的材料為單晶壓電材料；

所述第一基底的材料選自鈮酸鋰、鉭酸鋰、鈮酸鉀中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一基底的厚度至少為所述第二基底的厚度的10倍。

4.一種半導體器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相對的第一側和第二側；

第一組諧振器單元，設置于基底的第一側；和

第二組諧振器單元，設置于基底的第二側，

其中：

第一組諧振器單元包括單晶壓電薄膜SAW單元，第二組諧振器單元包括多晶FBAR單元，所述壓電薄膜SAW單元包括單晶壓電薄膜SAW壓電層；

所述基底包括由多晶FBAR單元的基底構成的第一基底以及由所述壓電薄膜SAW單元的單晶壓電薄膜SAW壓電層構成的第二基底，第一基底的厚度至少為第二基底的厚度的5倍；

所述第二基底的一側與所述第一基底的第一側連接，所述第二基底的另一側設置有SAW電學結構；

所述第一基底的第二側設置有FBAR壓電層以及FBAR電學結構。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：

第一基底的厚度至少為第二基底的厚度的10倍。

6.一種半導體器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相對的第一側和第二側；

第一組諧振器單元，設置于基底的第一側；和

第二組諧振器單元，設置于基底的第二側，

其中：

第一組諧振器單元包括單晶壓電薄膜SAW單元，第二組諧振器單元包括多晶FBAR單元，所述壓電薄膜SAW單元包括單晶壓電薄膜SAW壓電層；

所述壓電薄膜SAW單元包括布拉格反射層以及所述單晶壓電薄膜SAW壓電層，所述基底包括由多晶FBAR單元的基底構成的第一基底以及由所述壓電薄膜SAW壓電層構成的第二基底，第一基底的厚度至少為第二基底的厚度的5倍；

所述布拉格反射層設置在第一基底與第二基底之間；

所述第二基底的一側與所述布拉格反射層的第一側連接，所述第二基底的另一側設置有SAW電學結構；

所述布拉格反射層的第二側與所述第一基底的第一側連接；

所述第一基底的第二側設置有FBAR壓電層以及FBAR電學結構。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中：

第一基底的厚度至少為第二基底的厚度的10倍。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的半導體器件，其中：

所述半導體器件包括濾波器、雙工器、多工器中的一種。

9.一種電子設備，包括根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件。