[發(fā)明專利]多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010254489.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN111430052B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡鈺文;宮厚軍;楊祖毛;李朋洲;卓文彬;昝元鋒;李勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)核動(dòng)力研究設(shè)計(jì)院
• 主分類號(hào): G21C17/00
• 分類號(hào): G21C17/00
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 宋輝

1.多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，包括用于模擬反應(yīng)堆下降段的模擬體，所述模擬體為半圓柱結(jié)構(gòu)，模擬體上設(shè)置有進(jìn)料口(5)和排料口，模擬體的側(cè)壁(1)內(nèi)設(shè)置有冷卻流道(8)，所述側(cè)壁(1)上還設(shè)置有熱流密度測(cè)量組件(12)，所述熱流密度測(cè)量組件(12)延伸至模擬體內(nèi)用于測(cè)量模擬體內(nèi)壁面的熱流密度；

所述熱流密度測(cè)量組件(12)包括U形鉬方管(13)，所述鉬方管(13)包括兩個(gè)測(cè)點(diǎn)，所述側(cè)壁(1)上設(shè)置有安裝槽(11)，所述安裝槽(11)內(nèi)設(shè)置有測(cè)孔(14)，所述測(cè)點(diǎn)的尺寸與測(cè)孔(14)的尺寸相匹配；

所述模擬體包括前壁(2)，所述前壁(2)上設(shè)置有若干測(cè)溫點(diǎn)(16)；

所述前壁(2)上設(shè)置有第一加熱件(17)，所述第一加熱件(17)用于加熱前壁(2)；

所述鉬方管(13)內(nèi)設(shè)置有熱電偶和錫絲。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，所述安裝槽(11)內(nèi)設(shè)置有填料(15)用于填充安裝槽(11)與鉬方管(13)之間的間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，所述模擬體包括頂蓋(4)，所述進(jìn)料口(5)設(shè)置于頂蓋(4)上，頂蓋(4)上還設(shè)置有觀察窗(6)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，所述頂蓋(4)上設(shè)置有換熱器(10)，所述換熱器(10)能夠相對(duì)于頂蓋(4)豎直移動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，所述模擬體包括后壁(3)，所述排料口設(shè)置于后壁(3)上，排料口包括第一排料口(18)和第二排料口(19)，所述第一排料口(18)位于第二排料口(19)的上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層熔池傳熱特性模擬實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于，所述后壁(3)上設(shè)置有加熱組件，所述加熱組件包括第二加熱件(20)和密封件(21)，所述第二加熱件(20)用于加熱模擬體內(nèi)的模擬材料。