[發明專利]用于去除蝕刻殘余物的清洗液

在審

• 申請號: 202010254166.1
• 申請日: 2020-04-02
• 公開（公告）號: CN111793531A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 林建瑋;蔡維哲;涂勝宏;黃右昕;何明哲;姜欣伶;曹恒光
• 申請（專利權）人: 悅盟先進化學股份有限公司
• 主分類號: C11D7/08
• 分類號: C11D7/08;C11D7/10;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/36;C11D11/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;李兵霞

1.一種用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其包括含氟化合物；

其中，該含氟化合物選自：氟化鹽、氟代烷、六氟硅酸、六氟硅酸鹽、六氟磷酸、六氟磷酸鹽、氟硼酸、氟硼酸鹽、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸鹽、氟磺酸、氟磺酸鹽、和以上任一組合。

2.根據權利要求1所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該清洗液還包括添加劑；其中，該添加劑選自：含硅化合物、鹵素含氧酸、氫鹵酸、硝酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、碳酸、氰酸、硼酸、有機酸、有機酸鹽、一級胺、二級胺、三級胺、四級銨鹽、烷基磺酸鹽、烷基硫酸鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基磷酸鹽、烷基氧化胺、和以上任一組合。

3.根據權利要求2所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該含硅化合物具有以式I所示的結構：

其中，該R各自獨立為氫原子、羥基、胺基、碳數為1至5的烷基、碳數為2至5的烯基、碳數為2至5的炔基、碳數為1至5的烷氧基、碳數為1至5的烷基胺基、磺酸基、磷酸基、膦?；⒒蛄虼蓟?/p>

4.根據權利要求2所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該含硅化合物具有以式II所示的結構：

其中，該R各自獨立為氫原子、羥基、胺基、碳數為1至5的烷基、碳數為2至5的烯基、碳數為2至5的炔基、碳數為1至5的烷氧基、碳數為1至5的烷基胺基、磺酸基、磷酸基、膦?；?、或硫醇基；該n為等于或大于0且小于或等于10的整數。

5.根據權利要求2所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該添加劑選自：該四級銨鹽、該烷基磺酸鹽、該烷基硫酸鹽、該烷基苯磺酸鹽、該烷基磷酸鹽、該烷基氧化胺、和以上任一組合。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該含氟化合物為該六氟硅酸、該六氟磷酸、或該氟硼酸。

7.根據權利要求1所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該清洗液還包括溶劑。

8.根據權利要求2至5中任一項所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該清洗液還包括溶劑。

9.根據權利要求7所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，以該清洗液的總重為基準，該含氟化合物的濃度為0.1重量百分比至40重量百分比。

10.根據權利要求8所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，以該清洗液的總重為基準，該含氟化合物的濃度為0.1重量百分比至40重量百分比，該添加劑的濃度為0.001重量百分比至30重量百分比。

11.根據權利要求1所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該清洗液具有一高于0.5埃/分鐘的去除蝕刻殘余物的去除速率。

12.根據權利要求1所述的用于去除蝕刻殘余物的清洗液，其中，該清洗液具有一低于1.0埃/分鐘的蝕刻氧化硅層的蝕刻速率。