[發明專利]分柵快閃存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010251504.6
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN111293120B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 曹啟鵬;付博;王哲獻;王卉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H10B41/30
• 分類號: H10B41/30;H10B41/42
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括相鄰設置的存儲區和邏輯區，所述存儲區形成有字線柵極，所述邏輯區形成有多晶硅層，且暴露出了所述字線柵極的端點，其中，所述字線柵極包括共享字線、覆蓋所述共享字線的氧化物層、形成于所述半導體襯底上的浮柵和控制柵極、嵌設在所述浮柵和控制柵極中的SiN層，所述共享字線嵌設在所述浮柵和控制柵極中，且所述SiN層位于共享字線與控制柵極之間；

刻蝕所述端點處的氧化物層；

在所述半導體襯底上形成圖形化的掩模層，所述圖形化的掩模層覆蓋了部分的所述存儲區，并在所述字線柵極的端點處暴露出部分長度的字線柵極，所述圖形化的掩模層還覆蓋了所述邏輯區用于形成邏輯柵極的區域；以及

以所述圖形化的掩模層為掩模，刻蝕所述多晶硅層，并去除剩余所述圖形化的掩模層，以形成邏輯柵極，同時還刻蝕了所述圖形化的掩模層暴露出的所述字線柵極中的氧化物層、共享字線和SiN層，且所述共享字線的完全被刻蝕掉的長度a小于所述SiN層的完全被刻蝕掉的長度b，其中，a和b滿足以下關系：b-a＜a；且b＜1.1μm，從而形成分柵快閃存儲器。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，刻蝕所述端點處的氧化物層，具體包括：濕法刻蝕所述端點處的氧化物層。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝采用氟化氫溶液或NH4F/HF緩沖溶液來進行濕法刻蝕。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述氟化氫溶液包括氟化氫和去離子水，所述氟化氫溶液的濃度0.1-5％；所述NH4F/HF緩沖溶液包括NH3，HF和去離子水，所述緩沖溶液的濃度0.1-5％。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的工藝時間大于30秒。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括相鄰設置的存儲區和邏輯區，所述存儲區形成有字線柵極，所述邏輯區形成有多晶硅層，且暴露出了所述字線柵極的端點，具體包括以下步驟：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括相鄰設置的存儲區和邏輯區，所述存儲區形成有字線柵極以及包裹所述字線柵極的保護層，所述半導體襯底上還形成有多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成圖形化的初始掩模層，所述圖形化的初始掩模層暴露出所述存儲區；以及

以所述圖形化的初始掩模層為掩模，刻蝕所述存儲區的多晶硅層，并暴露出所述存儲區的保護層，此時，暴露出了所述字線柵極的端點。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述圖形化的掩模層包括圖形化的光刻膠層。

8.一種分柵快閃存儲器，其特征在于，通過如權利要求1-7中任一項所述的制備方法制備而成。