[發明專利]用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構在審
| 申請號: | 202010250984.4 | 申請日: | 2020-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN111331507A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 丘建華 | 申請(專利權)人: | 廣州金漠精密機械有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/32 | 分類號: | B24B37/32;B29C45/14;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州德偉專利代理事務所(普通合伙) 44436 | 代理人: | 黃浩威;何文穎 |
| 地址: | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 拋光 固定 半導體 晶片 復合 結構 | ||
1.用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:包括第一結構件和第二結構件,所述第一結構件和第二結構件均為環形結構,所述第二結構件設置在所述第一結構件內部,所述第一結構件與第二結構件制成材料不同,所述第二結構件比第一結構件具有更好的剛性,所述第一結構件通過在熔融狀態下包裹在所述第二結構件外側形成,所述第一結構件包裹所述第二結構件將其完全密封。
2.根據權利要求1所述的用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:所述第一結構件通過在第二結構件外側注塑制成將所述第二結構件完全包裹。
3.根據權利要求1或2所述的用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:所述第二結構件設置有若干凹槽,所述凹槽設置在所述第二結構件的周緣,所述第一結構件通過注塑制成填充到所述凹槽內,所述第二結構件通過所述凹槽增加與所述第一結構件的連接面積,增加第一結構件和第二結構件的連接剛性。
4.根據權利要求1所述的用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:所述第一結構件與第二結構件的底面均設有固定孔,所述第一結構件的固定孔與所述第二結構件的固定孔對應,所述固定孔環形陣列在第一結構件或第二結構件的底面。
5.根據權利要求4所述的用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:所述第一結構件頂部和第二結構件的頂部均設置凸起,所述第一結構件的凸起與所述第二結構件的凸起相對應。
6.根據權利要求5所述的用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構,其特征在于:所述固定孔設置在所述凸起的正下方。
7.一種制作所述用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構的工藝,其步驟為:
將第二結構件鎖緊在定位治具上;
再將固定好的第二結構件與定位治具放入到模具中;
通過注塑機在模具中進行注塑;
對注塑包膠的產品進行保壓和冷卻;
將保壓和冷卻后的產品從模具開模取出,再將定位治具和產品分開。
8.根據權利要求7所述的一種制作所述用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構的工藝,其特征在于:所述第二結構件鎖緊使用螺絲定位銷固定在定位治具上,所述螺絲定位銷能支撐第二結構件與定位治具形成間隙;且所述模具周邊與內圈形成的間隙,使第二結構件在模具中形成了一個懸空的空間。
9.根據權利要求8所述的一種制作所述用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構的工藝,其特征在于:所述定位銷設置3~24個。
10.根據權利要求8所述的一種制作所述用于在拋光中固定半導體晶片的復合結構的工藝,其特征在于:所述第二結構件與定位治具形成的間隙和模具周邊與內圈形成的間隙均為2~6mm。
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