[發(fā)明專利]顯示設(shè)備和顯示設(shè)備的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010250913.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111799303A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸根佑;金旻載;金慜熙;金泰勳;尹度景;李昶勳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 設(shè)備 制造 方法 | ||
1.顯示設(shè)備,包括:
顯示面板,具有像素區(qū)域和鄰近所述像素區(qū)域的周邊區(qū)域;
光控制層,設(shè)置在所述顯示面板上并且至少部分地與所述像素區(qū)域重疊;
光阻擋部分,至少部分地與所述周邊區(qū)域重疊;以及
保護(hù)層,設(shè)置在所述光控制層和所述光阻擋部分之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,所述顯示面板包括基襯底和至少一個(gè)顯示元件,所述至少一個(gè)顯示元件在所述像素區(qū)域中設(shè)置在所述基襯底上并且生成第一光。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其中,所述光控制層包括透射所述第一光的第一光控制部分、將所述第一光轉(zhuǎn)換為第二光的第二光控制部分以及將所述第一光轉(zhuǎn)換為第三光的第三光控制部分。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,還包括:濾色器層,設(shè)置在所述光控制層上。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備,其中,
所述光控制層包括鄰近所述光阻擋部分的側(cè)表面和鄰近所述濾色器層的上表面,以及
所述保護(hù)層覆蓋所述光控制層的所述側(cè)表面和所述上表面。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,所述保護(hù)層包括SiNx、SiOx、Al2O3、TiOx和ZrOx中的至少一者。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,
所述光阻擋部分包括鄰近所述光控制層的側(cè)表面和鄰近所述顯示面板且連接所述側(cè)表面的下表面,以及
所述保護(hù)層覆蓋所述光阻擋部分的所述側(cè)表面而不接觸所述光阻擋部分的所述下表面。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:金屬層,設(shè)置在所述保護(hù)層和所述光阻擋部分之間。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,所述光控制層包括多個(gè)量子點(diǎn)。
10.用于制造顯示設(shè)備的方法,所述方法包括以下步驟:
準(zhǔn)備上部顯示襯底,所述上部顯示襯底包括像素區(qū)域和鄰近所述像素區(qū)域的周邊區(qū)域;
準(zhǔn)備下部顯示襯底,所述下部顯示襯底包括向所述像素區(qū)域透射光的顯示元件;以及
將所述上部顯示襯底和所述下部顯示襯底聯(lián)接,
其中,準(zhǔn)備所述上部顯示襯底的步驟包括以下步驟:
準(zhǔn)備基襯底;
在所述基襯底的下表面上形成光阻擋部分,以使所述光阻擋部分至少部分地與所述周邊區(qū)域重疊;
通過在所述光阻擋部分和所述基襯底上沉積無機(jī)材料形成無機(jī)膜;
通過圖案化所述無機(jī)膜以暴露所述光阻擋部分的上表面來形成保護(hù)層;以及
形成光控制層以使所述光控制層至少部分地與所述像素區(qū)域重疊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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