[發明專利]平板探測器及制備方法

有效

• 申請號: 202010250723.2
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN111430392B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 宮奎;張志海
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種平板探測器，其特征在于，包括：

襯底基板；

第一電極層，設置在所述襯底基板的一側；

光電轉換層，設置在所述第一電極層背離所述襯底基板的一側，所述光電轉換層具有背離所述第一電極層一側的第一表面；所述光電轉換層還具有朝向所述第一電極層一側的第二表面，以及位于所述第一表面和第二表面之間的側壁，所述側壁與所述第一表面之間的夾角為75°至85°；

絕緣結構層，設置在所述光電轉換層背離所述襯底基板的一側，所述絕緣結構層背離所述襯底基板一側的表面與所述襯底基板的距離小于或等于所述第一表面與所述襯底基板的距離，所述第一表面暴露；

第二電極層，設置在所述絕緣結構層背離所述襯底基板的一側，所述第二電極層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述光電轉換層在所述襯底基板上的正投影，以減小光電二極管的暗態漏電流。

2.根據權利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述絕緣結構層背離所述襯底基板一側的表面與所述第一表面平齊。

3.根據權利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述絕緣結構層包括第一絕緣層和第一平坦層，所述第一絕緣層位于所述光電轉換層和所述第一平坦層之間。

4.根據權利要求1-3任一項所述的平板探測器，其特征在于：所述襯底基板包括基板和設置于所述基板上的薄膜晶體管，所述第一電極層與所述薄膜晶體管的漏電極連接。

5.根據權利要求4所述的平板探測器，其特征在于：所述第一電極層與漏電極同層設置。

6.根據權利要求4所述的平板探測器，其特征在于：所述襯底基板還包括覆蓋薄膜晶體管的第二絕緣層、設置于所述第二絕緣層背離所述基板一側的第二平坦層和設置于所述第二平坦層背離所述基板一側的第三絕緣層，所述第二絕緣層上開設有中間過孔，所述中間過孔暴露漏電極，所述第二平坦層上在中間過孔位置開設第一過孔，所述第一過孔暴露所述漏電極，所述第三絕緣層在所述第一過孔位置開設第二過孔，所述第二過孔暴露所述漏電極，所述第一電極層設置于所述第二絕緣層背離所述基板的一側并通過所述第二過孔與所述漏電極連接。

7.根據權利要求6所述的平板探測器，其特征在于：所述第一電極層在所述基板上的正投影覆蓋所述薄膜晶體管的有源層在所述基板上的正投影。

8.根據權利要求6所述的平板探測器，其特征在于：所述平板探測器還包括覆蓋所述第二電極層和絕緣結構層的第四絕緣層和設置于所述第四絕緣層背離所述基板一側的偏置電極層，所述第四絕緣層上開設有第三過孔，所述第三過孔暴露所述第二電極層，所述偏置電極層通過所述第三過孔與所述第二電極層連接。

9.一種平板探測器的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板的一側形成第一電極層；

在第一電極層背離襯底基板的一側形成光電轉換層，所述光電轉換層具有背離所述第一電極層一側的第一表面；所述光電轉換層還具有朝向所述第一電極層一側的第二表面，以及位于所述第一表面和第二表面之間的側壁，所述側壁與所述第一表面之間的夾角為75°至85°；

在所述光電轉換層背離所述襯底基板的一側形成絕緣結構層，所述絕緣結構層背離所述襯底基板一側的表面與所述襯底基板的距離小于或等于所述第一表面與所述襯底基板的距離，所述第一表面暴露；

在所述絕緣結構層背離所述襯底基板的一側形成第二電極層，所述第二電極層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述光電轉換層在所述襯底基板上的正投影，以減小光電二極管的暗態漏電流。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述光電轉換層背離所述襯底基板的一側形成絕緣結構層，包括：

在所述光電轉換層背離所述襯底基板的一側形成絕緣結構薄膜；

對所述絕緣結構薄膜背離襯底基板一側的表面進行去材料處理，所述絕緣結構層背離所述襯底基板一側的表面與所述襯底基板的距離小于或等于所述第一表面與所述襯底基板的距離，所述第一表面暴露。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，對絕緣結構薄膜背離襯底基板一側的表面進行去材料處理，包括：

采用化學機械研磨的方式研磨絕緣結構薄膜背離襯底基板一側的表面，去除絕緣結構薄膜材料，使得第一表面暴露。