[發明專利]讀寫方法及存儲器裝置

有效

• 申請號: 202010250426.8
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN113495677B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 寗樹梁;何軍;應戰;劉杰
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10;G06F11/14;G06F12/0802;G06F12/0882
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

本發明提供一種讀寫方法及存儲器裝置，所述讀寫方法為：對存儲器裝置施加讀命令，讀命令指向地址信息，從讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元中讀取待讀出數據，若待讀出數據發生錯誤，將所述讀命令所指向的地址信息存儲在預設存儲空間的一存儲位中，其中所述預設存儲空間設有若干所述存儲位，每一所述存儲位均關聯至一備用存儲單元。本發明可根據地址信息是否位于預設存儲空間中而選擇對所述地址信息對應的存儲單元執行讀操作或者寫操作還是對備用存儲單元執行讀操作或者寫操作，避免數據錯誤或者數據丟失，大大提高了存儲器裝置的可靠性及延長了存儲器裝置的壽命。

技術領域

本發明涉及半導體存儲領域，尤其涉及一種讀寫方法及存儲器裝置。

背景技術

半導體存儲器是用來存儲各種數據信息的記憶部件。隨著電路復雜度的提升，各種形式的存儲器裝置在制造上或者使用過程中無可避免地容易產生不良或受損的存儲單元，導致半導體存儲器裝置可靠度降低，壽命減少。

因此，如何提高存儲器裝置的可靠性及延長所述存儲器裝置的壽命，成為目前亟需解決的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種讀寫方法及存儲器裝置，其能夠大大提高存儲器裝置的可靠性及延長存儲器裝置的壽命。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種讀寫方法，對存儲器裝置施加讀命令，所述讀命令指向一地址信息，從所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元中讀取待讀出數據，若所述待讀出數據發生錯誤，將所述讀命令所指向的地址信息存儲在預設存儲空間的一存儲位中，其中所述預設存儲空間設有若干所述存儲位，每一所述存儲位均關聯至一備用存儲單元。

進一步，若所述待讀出數據沒有發生錯誤，則不將所述讀命令所指向的地址信息存儲在所述預設存儲空間的存儲位中。

進一步，從所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元中讀取待讀出數據的步驟還包括：從所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元中讀取與所述待讀出數據對應的第一ECC編碼；判斷所述待讀出數據是否發生錯誤的方法包括：對所述第一ECC編碼進行解碼，以判斷所述待讀出數據是否發生錯誤。

進一步，對所述存儲器裝置施加寫命令，并將所述寫命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息進行比較，若所述寫命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息不相同，則對所述寫命令所指向的地址信息對應的存儲單元執行寫操作，若所述寫命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息相同，則停止對所述寫命令所指向的地址信息對應的存儲單元執行寫操作，并對存儲在預設存儲空間內的所述地址信息所在的存儲位對應的備用存儲單元執行寫操作。

進一步，對所述寫命令所指向的地址信息對應的存儲單元執行寫操作的步驟進一步包括：形成與所述寫操作中待寫入數據對應的第二ECC編碼，并將其與所述待寫入數據一并寫入所述寫命令所指向的地址信息對應的存儲單元中。

進一步，在所述對存儲器裝置施加讀命令之后，在所述從所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元中讀取待讀出數據之前，還包括：將所述讀命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息進行比較，若所述讀命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息不相同，則對所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元執行讀操作。

進一步，若所述讀命令所指向的地址信息與存儲在所述預設存儲空間內的地址信息相同，則停止對所述讀命令所指向的地址信息對應的存儲單元執行讀操作，并對存儲在所述預設存儲空間中的所述地址信息所在的存儲位對應的備用存儲單元執行讀操作。

進一步，在所述待讀出數據發生錯誤的情況下，若對所述待讀出數據進行修正，則將修正后的數據存儲在備用存儲單元中；若未對所述待讀出數據進行修正，則將所述待讀出數據存儲在備用存儲單元中。