[發(fā)明專利]電極的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010248291.1 | 申請日： | 2020-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN111517272B | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉善善;朱黎敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎偉 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電極 制備 方法 | ||
1.一種電極的制備方法，其特征在于，所述方法應用于MEMS傳感器的電極的制備，所述方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次形成第一氧化層、非晶硅層、金屬層和介電抗反射層；
進行第一次刻蝕，去除目標區(qū)域的介電抗反射層和所述目標區(qū)域中預定深度的金屬層，形成第一通孔，所述目標區(qū)域是不需要形成電極的區(qū)域；
進行第二次刻蝕，減薄介電抗反射層和暴露的金屬層，形成第二通孔；
進行第三次刻蝕，去除所述目標區(qū)域的金屬層，使所述非晶硅層暴露；
在暴露的所述介電抗反射層、所述非晶硅層的表面形成第二氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述進行第一次刻蝕，去除目標區(qū)域的介電抗反射層和所述目標區(qū)域中預定深度的金屬層，包括：
在所述介電抗反射層的表面覆蓋光阻；
對所述目標區(qū)域的光阻進行曝光、顯影后，去除所述目標區(qū)域的光阻；
通過干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝進行所述第一次刻蝕，去除所述目標區(qū)域的介電抗反射層和目標區(qū)域中預定深度的金屬層；
清除剩余的光阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述進行第二次刻蝕，減薄介電抗反射層和暴露的金屬層，包括：
通過干法刻蝕工藝進行所述第二次刻蝕，減薄介電抗反射層和暴露的金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第二次刻蝕的厚度為10埃至200埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的制備方法，其特征在于，所述進行第三次刻蝕，去除所述目標區(qū)域的金屬層，包括：
通過濕法刻蝕工藝進行所述第三次刻蝕，去除所述目標區(qū)域的金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的制備方法，其特征在于，所述介電抗反射層包括氮氧化硅和硅氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層包括鈦和氮化鈦。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層包括依次交疊形成的鈦層和氮化鈦層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述第一氧化層和所述第二氧化層包括硅氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述襯底包括硅襯底，或，所述襯底包括上表面形成有硅氧化物的硅襯底，或，所述襯底包括上表面形成有非晶硅層的硅襯底。
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