[發明專利]集成電光調制器

在審

• 申請號: 202010247026.1
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN111240055A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 王皓;朱宇;陳奔;施偉明;吳邦嘉;沈笑寒;張擁建;洪小剛;邢園園;吳有強
• 申請（專利權）人: 亨通洛克利科技有限公司
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035;G02F1/025;G02B6/125
• 代理公司: 蘇州睿昊知識產權代理事務所(普通合伙) 32277
• 代理人: 陳蜜

1.一種集成電光調制器，其特征在于：包括SiO₂層、位于所述SiO₂層上層疊設置的Si層，所述Si層上設有第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂，所述SiO₂層內設有PLC波導分路器和PLC波導合路器；所述PLC波導分路器的兩路分支基于倏逝波耦合分別與第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂光路連通；所述PLC波導合路器的兩路分支基于倏逝波耦合分別與第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂光路連通。

2.如權利要求1所述的集成電光調制器，其特征在于：所述第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂在SiO₂層上的正投影分別與所述PLC波導分路器兩路分支的近輸出端重疊；該重疊的長度或/寬度與倏逝波耦合的耦合效率相關。

3.如權利要求1所述的集成電光調制器，其特征在于：所述PLC波導分路器第一分支近輸出端與第一硅波導相移臂之間的垂直距離與兩者之間倏逝波耦合的耦合效率相關；所述PLC波導分路器第二分支近輸出端與第二硅波導相移臂之間的垂直距離與兩者之間倏逝波耦合的耦合效率相關。

4.如權利要求1所述的集成電光調制器，其特征在于：所述PLC波導分路器兩路分支的近輸出端均為倒錐形結構。

5.如權利要求1～4任一項所述的集成電光調制器，其特征在于：所述第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂在SiO₂層上的正投影分別與所述PLC波導合路器兩路分支的近輸入端重疊；該重疊的長度或/寬度與倏逝波耦合的耦合效率相關。

6.如權利要求1～4任一項所述的集成電光調制器，其特征在于：所述PLC波導合路器第一分支近輸入端與第一硅波導相移臂之間的垂直距離與兩者之間倏逝波耦合的耦合效率相關；所述PLC波導合路器第二分支近輸入端與第二硅波導相移臂之間的垂直距離與兩者之間倏逝波耦合的耦合效率相關。

7.如權利要求1～4任一項所述的集成電光調制器，其特征在于：所述PLC波導合路器兩路分支的近輸入端均為倒錐形結構。

8.如權利要求1所述的集成電光調制器，其特征在于：所述Si層上通過刻蝕形成硅波導，再通過摻雜形成PN結構或者PIN結構的第一硅波導相移臂；以及，所述Si層上通過刻蝕形成硅波導，再通過摻雜形成PN結構或者PIN結構的第二硅波導相移臂。

9.如權利要求8所述的集成電光調制器，其特征在于：所述Si層上設有相互平行的第一電極、第二電極和共用電極，所述公共電極設于第一硅波導相移臂和第二硅波導相移臂之間位置，所述第一電極平行設于第一硅波導相移臂另一側，所述第二電極平行設于第二硅波導相移臂另一側；通過所述第一電極和共用電極給所述第一硅波導相移臂施加電壓，通過所述第二電極和公共電極給所述第二硅波導相移臂施加電壓。

10.如權利要求9所述的集成電光調制器，其特征在于：所述第一硅波導相移臂上的電壓與其調制輸出光強度相關；以及，所述第二硅波導相移臂上的電壓與其調制輸出光強度相關。