[發(fā)明專利]一種碳化硅MOS電容器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010244764.0 | 申請日： | 2020-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN111403280A | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 羅志鵬;許恒宇;金智;萬彩萍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L29/94;H01L29/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱宗力 |
| 地址： | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 mos 電容 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC襯底及位于所述SiC襯底上的SiC外延層；
對所述SiC外延片進行氧化處理，形成位于所述SiC外延層背離所述SiC襯底一側的柵氧化層；
對形成有所述柵氧化層的SiC外延片，在Ar氣氛條件下或含O元素的Ar氣氛條件下進行第一次退火處理；
對形成有所述柵氧化層的SiC外延片，在含N氣氛條件下進行第二次退火處理；
在所述柵氧化層背離所述SiC襯底一側形成第一電極，且在所述SiC襯底背離所述SiC外延層一側形成第二電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述第一次退火處理時退火溫度范圍為1200℃-1500℃，包括端點值。
3.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述第二次退火處理時退火溫度范圍為1200℃-1500℃，包括端點值。
4.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述含N氣氛條件為NO氣氛條件、N2氣氛條件、NH3氣氛條件或NO2氣氛條件。
5.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述第一次退火處理時退火溫度高于所述氧化處理時氧化溫度。
6.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述第二次退火處理時退火溫度低于所述第一次退火處理時退火溫度。
7.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，對所述SiC外延片進行氧化處理而形成所述柵氧化層的同時，對所述SiC外延片進行氧化處理還在所述SiC襯底背離所述SiC外延層一側形成有犧牲氧化層；
其中，在形成所述第二電極前去除所述犧牲氧化層。
8.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，所述SiC外延片的材料為4H-SiC、3C-SiC或6H-SiC。
9.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法，其特征在于，對所述SiC外延片進行氧化處理，包括：
對所述SiC外延片進行干氧氧化處理，在氧氣氣氛下對所述SiC外延片進行預設溫度的高溫處理。
10.一種碳化硅MOS電容器件，其特征在于，采用權利要求1-9任意一項所述的碳化硅MOS電容器件的制作方法制作而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
