[發明專利]光調制器在審
| 申請號： | 202010243496.0 | 申請日： | 2020-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113467109A | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發明（設計）人： | 田家裕;長瀬健司;A·R·M·賓拉奧;王進武 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/035 | 分類號： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調制器 | ||
1.一種光調制器，其特征在于，
具備基板、形成于所述基板上的光波導、經由第一緩沖層而形成于所述光波導上且對所述光波導施加調制信號的信號電極、以及經由第二緩沖層而形成于所述光波導上且對所述光波導施加DC偏壓的偏壓電極，
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層以在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的邊界部上，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層中的任意的一方的緩沖層覆蓋另一方的緩沖層的端面的方式形成。
2.如權利要求1所述的光調制器，其特征在于，
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層以在所述邊界部上，從所述基板的厚度方向觀察具有重疊的方式形成。
3.如權利要求1所述的光調制器，其特征在于，
所述另一方的緩沖層的端面相對于所述基板傾斜地形成。
4.如權利要求1所述的光調制器，其特征在于，
所述另一方的緩沖層的端面形成為曲面狀。
5.如權利要求2～4中任一項所述的光調制器，其特征在于，
在所述邊界部上，所述第一緩沖層形成于所述第二緩沖層上，或者所述第二緩沖層形成于所述第一緩沖層上。
6.如權利要求2～4中任一項所述的光調制器，其特征在于，
所述另一方的緩沖層的端面的、沿著所述基板的厚度方向投影到所述基板的長度相對于所述另一方的緩沖層的厚度為2～100倍。
7.如權利要求1～4中任一項所述的光調制器，其特征在于，
所述第一緩沖層和所述第二緩沖層由不同的組成形成。
8.如權利要求1～4中任一項所述的光調制器，其特征在于，
所述第一緩沖層為M-Si-O系化合物，
M是選自Al、Zr、Hf、La、Ba、Bi、Ti、Ca、Mo、In的至少任一種以上。
9.如權利要求1～4中任一項所述的光調制器，其特征在于，
構成所述第二緩沖層的元素包含構成所述第一緩沖層的元素中的至少任一種以上。
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