[發明專利]一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組

有效

• 申請號: 202010243143.0
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN111900103B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 陳維恕
• 申請（專利權）人: 山東職業學院
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 徐榮榮

1.一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：半導體芯片生產制備裝置由上至下設置有第一操作腔體、第二操作腔體、第三操作腔體；電漿模組部分設置在第二操作腔體內部，通過射頻電源及機械傳動機構實現移動，其結構由上至下依次設置有O型環、石英套筒的磁鐵、具偏壓格柵一、石英窗、厚圓柱形石英柱狀桶環、具偏壓格柵二、多孔金屬陽極化圓盤且分別與機械傳動機構連接；工作過程中，是將等離子輔助化學氣相沉積鍍氧化硅薄膜于光面硅片表面，需要通過將電漿模組移至第二操作腔體正中央→開始通氣等離子鍍膜氧化硅；硅片上移至第二操作腔體蝕刻氧化硅然后去除光刻膠，是通過將第二操作腔體電漿模組移至中央才能夠進行作業，將氮化鉭及銅種子層濺鍍于已圖案化之氧化硅上；同樣也需要將第二操作腔體電漿模組移出→濺鍍遮板移至中央上方→將鉭靶移入后濺鍍氮化鉭→將銅靶移入后濺鍍銅。

2.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：O型環、石英套筒的磁鐵、具偏壓格柵一、石英窗、厚圓柱形石英柱狀桶環、具偏壓格柵二、多孔金屬陽極化圓盤都是圓形。

3.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：電漿模組部分底部設置有多層廢液捕捉盤。

4.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：O型環具有外環線圈的閘閥，O型環作為此閘閥的密封、開啟是利用兩腔體間的氣壓差異。

5.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：O型環、石英套筒的磁鐵、厚圓柱形石英柱狀桶環分別具有石英套筒的感應耦合電漿線圈。

6.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：石英窗上方具有偏壓格柵的內環鐵氧體耦合線圈。

7.根據權利要求1所述的一種半導體芯片生產制備系統的電漿模組部分，其特征在于：厚圓柱形石英柱狀桶環、具偏壓格柵二分別具有偏壓格柵的感應耦合電漿輔助線圈。