[發(fā)明專利]一種分離柵MOSFET的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010239095.8
• 申請日: 2020-03-30
• 公開（公告）號: CN111403289B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫閆濤;黃健;張朝志;顧昀浦;宋躍樺;吳平麗;樊君;張麗娜;虞翔
• 申請（專利權(quán)）人: 捷捷微電（上海）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 廣州京諾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44407
• 代理人: 于睿虬

1.一種分離柵MOSFET的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在具有第一導(dǎo)電類型的襯底上形成具有第一導(dǎo)電類型的外延層，所述外延層的上表面為第一主面，所述襯底的下表面為第二主面；

步驟二、在所述第一主面上淀積第一氧化層；

步驟三、刻蝕所述第一氧化層及外延層，形成從所述第一主面延伸至其內(nèi)部的溝槽；

步驟四、去除所述第一氧化層；

步驟五、在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成第二氧化層；

步驟六、在由所述第二氧化層形成的溝槽內(nèi)沉積多晶硅，并對所述多晶硅進(jìn)行回刻，形成分離柵多晶硅；

步驟七、在所述分離柵多晶硅上方形成多晶硅間隔離氧化層；

步驟八、在由所述第二氧化層和多晶硅間隔離氧化層形成的溝槽內(nèi)形成氮化物層；

步驟九、在由所述氮化物層形成的溝槽內(nèi)沉積多晶硅，并對所述多晶硅進(jìn)行回刻，形成犧牲多晶硅；

步驟十、去除位于所述犧牲多晶硅上方的所述氮化物層，所述犧牲多晶硅與保留的所述氮化物層形成掩膜結(jié)構(gòu)；

步驟十一、以所述掩膜結(jié)構(gòu)作為蝕刻掩膜，去除多晶硅間隔離氧化層上方的所述第二氧化層；

步驟十二、以濕法腐蝕方式去除所述氮化物層，以剝離所述犧牲多晶硅；

步驟十三、在所述溝槽內(nèi)淀積柵氧化層；

步驟十四、在由所述柵氧化層形成的溝槽內(nèi)沉積多晶硅，并對所述多晶硅進(jìn)行回刻，形成柵極多晶硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟七具體為：以高密度等離子體方式在所述溝槽內(nèi)淀積氧化層，在所述分離柵多晶硅上方形成多晶硅間隔離氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟七具體為：以熱氧化方式在所述溝槽內(nèi)生長氧化層，在所述分離柵多晶硅上方形成多晶硅間隔離氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述熱氧化方式為低溫濕法氧化方式，反應(yīng)溫度小于850℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步驟十之后，步驟十一之前，還包括：去除位于第一主面上的第二氧化層，以使所述第一主面外露。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述外延層中形成有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)，所述柵極多晶硅穿過所述阱區(qū)，所述柵極多晶硅從側(cè)面覆蓋所述阱區(qū)并用于在所述阱區(qū)側(cè)面形成溝道；

在所述阱區(qū)中形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；

在所述第二主面形成漏極金屬。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述源區(qū)上方形成絕緣介質(zhì)層；

對所述絕緣介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕以形成接觸孔，其中穿通源區(qū)的接觸孔延伸至阱區(qū)內(nèi)；

在所述絕緣介質(zhì)層上及接觸孔內(nèi)淀積金屬層，對金屬層進(jìn)行刻蝕，得到源極金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，還包括：

對所述金屬層進(jìn)行刻蝕，得到柵極金屬，所述接觸孔還包括柵極多晶硅接觸孔和分離柵多晶硅接觸孔，所述柵極金屬通過柵極多晶硅接觸孔與柵極多晶硅電連接，所述源極金屬通過分離柵多晶硅接觸孔與分離柵多晶硅電連接。