[發(fā)明專利]鋰合金靶材及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010238538.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111519141B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張艷芳;譚志;虞文韜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 維達(dá)力實(shí)業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/14 | 分類號(hào): | C23C14/14;C23C14/35;B22D19/00;H01M4/04;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 單驍越 |
| 地址: | 518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 合金 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述鋰合金靶材用作補(bǔ)鋰材料,所述制備方法包括如下步驟:
提供模具與靶管,將所述靶管設(shè)于所述模具中,所述靶管與所述模具的內(nèi)壁之間形成用于成型的成型腔;所述靶管的外壁具有凹陷部,和/或所述靶管的外壁具有紋路;
將第一單質(zhì)與第二單質(zhì)混合,加熱,得到混合液;
將所述混合液澆入所述成型腔中進(jìn)行冷卻,成型;
去除所述模具,得到鋰合金靶材;
所述第一單質(zhì)為熔融鋰;
其中,所述第二單質(zhì)為硼粉,且所述熔融鋰與所述硼粉的摩爾比為5:(2~8);或
所述第二單質(zhì)為硅粉,且所述熔融鋰與所述硅粉的摩爾比為5:(2~8);或
所述第二單質(zhì)為熔融硫,所述熔融鋰與所述熔融硫的摩爾比為9:(1~9)。
2.如權(quán)利要求1所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述第二單質(zhì)選自硼粉,所述熔融鋰與所述硼粉的摩爾比為5: (3~7)。
3.如權(quán)利要求1所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述第二單質(zhì)選自硅粉,所述熔融鋰與所述硅粉的摩爾比為5: (3~6)。
4.如權(quán)利要求1所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述第二單質(zhì)選自熔融硫,所述熔融鋰與所述熔融硫的摩爾比為9:(1~4)。
5.如權(quán)利要求1所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述加熱的溫度為190℃~1000℃。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述凹陷部的深度為1mm~10mm,所述凹陷部的寬度為1mm~20cm,所述凹陷部的坡度為5°~85°。
7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述紋路為外凸紋路或內(nèi)凹紋路。
8.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述靶管為直徑在30mm~200mm、長(zhǎng)度在100mm~5000mm的圓柱形靶管。
9.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法,其特征在于,所述模具的內(nèi)壁覆有金屬箔片,所述金屬箔片選自鋁箔片、銅箔片、鐵箔片、石墨箔片及不銹鋼箔片中的任意一種。
10.一種鋰合金靶材,其特征在于,所述鋰合金靶材采用如權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法制得,所述鋰合金靶材用作補(bǔ)鋰材料,包括靶管及包覆于所述靶管上的鋰合金材料,所述靶管的外壁具有凹陷部和/或所述靶管的外壁具有紋路,所述鋰合金材料為硼化鋰、硅化鋰或硫化鋰。
11.如權(quán)利要求10所述的鋰合金靶材,其特征在于,所述鋰合金靶材為磁控濺射靶材。
12.如權(quán)利要求11所述的鋰合金靶材,其特征在于,所述靶管具有中空部,所述靶管的中空部?jī)?nèi)設(shè)有第一磁極及分別設(shè)于第一磁極的相背兩側(cè)的兩個(gè)第二磁極,所述第一磁極和所述第二磁極中的一個(gè)為S磁極、另一個(gè)為N磁極。
13.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材的制備方法制得的鋰合金靶材或如權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的鋰合金靶材作為補(bǔ)鋰材料在制備鋰電池中的應(yīng)用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于維達(dá)力實(shí)業(yè)(深圳)有限公司,未經(jīng)維達(dá)力實(shí)業(yè)(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010238538.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





