[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010237686.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN111292661B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳金力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/00
• 分類號(hào): G09G3/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 李迎亞;姜春咸

本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的測(cè)試效率較低的問題。本發(fā)明的陣列基板，具有顯示區(qū)及位于顯示區(qū)周邊的非顯示區(qū)；陣列基板包括：位于非顯示區(qū)的多行測(cè)試部件及與測(cè)試部件連接測(cè)試焊盤；每個(gè)測(cè)試部件與至少兩個(gè)測(cè)試焊盤連接，且不同類型測(cè)試部件連接的測(cè)試焊盤的數(shù)量不同；至少部分行中設(shè)置有連接不同類型測(cè)試部件的測(cè)試焊盤，且至少部分連接不同類型測(cè)試部件的測(cè)試焊盤相鄰設(shè)置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

在顯示面板的制備階段，一般需要在陣列基板的非顯示區(qū)設(shè)置多個(gè)測(cè)試部件以及多個(gè)測(cè)試焊盤，以測(cè)試顯示面板的顯示區(qū)內(nèi)的各個(gè)顯示器件的性能。目前采用的測(cè)試設(shè)備上設(shè)置有呈一排分布的十二個(gè)測(cè)試探針，因此，陣列基板中每一排的測(cè)試焊盤的數(shù)量也為十二個(gè)。每次測(cè)試過程中，可以將測(cè)試設(shè)備的測(cè)試探針插到依次對(duì)應(yīng)插到測(cè)試焊盤上進(jìn)行測(cè)試。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：目前用于測(cè)試同一類型測(cè)試部件的測(cè)試焊盤呈一排分布，例如，每個(gè)薄膜晶體管需要連接三個(gè)測(cè)試焊盤，則每一排設(shè)置三個(gè)薄膜晶體管，對(duì)應(yīng)的設(shè)置呈一排分布的十二個(gè)測(cè)試焊盤。測(cè)試時(shí)，可以將測(cè)試設(shè)備的探針插到對(duì)應(yīng)的測(cè)試焊盤上進(jìn)行測(cè)試。但是受限于測(cè)試設(shè)備的配置，每一次測(cè)試只能五個(gè)探針有效，這樣每次只能測(cè)試一個(gè)薄膜晶體管，其他的兩個(gè)有效探針以及測(cè)試焊盤處于閑置狀態(tài)，利用率較低，且無法實(shí)現(xiàn)多個(gè)測(cè)試部件的同時(shí)測(cè)試。因此，測(cè)試速度較慢，影響測(cè)試效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，具有顯示區(qū)及位于所述顯示區(qū)周邊的非顯示區(qū)；所述陣列基板包括：位于所述非顯示區(qū)的多行測(cè)試部件及與所述測(cè)試部件連接測(cè)試焊盤；每個(gè)所述測(cè)試部件與至少兩個(gè)所述測(cè)試焊盤連接，且不同類型所述測(cè)試部件連接的所述測(cè)試焊盤的數(shù)量不同；

至少部分行中設(shè)置有連接不同類型所述測(cè)試部件的所述測(cè)試焊盤，且至少部分連接不同類型所述測(cè)試部件的所述測(cè)試焊盤相鄰設(shè)置。

可選地，所述測(cè)試部件包括：薄膜晶體管、電阻和電容；

所述薄膜晶體管與三個(gè)所述測(cè)試焊盤連接；所述電阻與四個(gè)所述測(cè)試焊盤連接；所述電容與兩個(gè)所述測(cè)試焊盤連接。

可選地，至少部分行中設(shè)置有多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)電容，且至少部分所述薄膜晶體管與所述電容相鄰設(shè)置。

可選地，所述陣列基板還包括：多條連接線；

同一所述薄膜晶體管連接的通過三條所述連接線與三個(gè)所述測(cè)試焊盤連接；所述薄膜晶體管位于靠近三個(gè)所述測(cè)試焊盤的中間所述測(cè)試焊盤的位置。

可選地，每一行的所述測(cè)試焊盤的數(shù)量與測(cè)試設(shè)備中的測(cè)試探針的數(shù)量相等。

可選地，所述陣列基板還包括：位于所述非顯示區(qū)的多個(gè)冗余測(cè)試部件；

所述冗余測(cè)試部件位于相鄰的所述測(cè)試部件之間。

可選地，所述陣列基板還包括：位于所述顯示區(qū)的多個(gè)顯示部件；

所述冗余測(cè)試部件的尺寸與所述顯示部件的尺寸相等；相鄰的所述冗余測(cè)試部件之間的間距與相鄰的所述顯示部件之間的間距相等。

可選地，所述冗余測(cè)試部件與所述測(cè)試部件的材料相同，且同層設(shè)置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示面板，包括如上述提供的陣列基板。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，包括如上述提供的顯示面板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；