[發明專利]基于薄膜IPD技術的N77與N79帶通濾波器芯片

有效

• 申請號: 202010237446.1
• 申請日: 2020-03-30
• 公開（公告）號: CN111525906B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 吳永樂;莊正;孔夢丹;王衛民
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 丁蕓;馬敬

本發明實施例提供的基于薄膜IPD技術的N77與N79帶通濾波器芯片，包括：帶通濾波器電路，以及用于承載帶通濾波器電路的基底層，其中，帶通濾波器電路是采用薄膜集成無源器件IPD技術在基底層上生成的，并由第一端口、第二端口及連接于第一端口與第二端口之間諧振器網絡構成的，其中第一端口，用于接收輸入的信號；諧振器網絡，用于對信號在帶通的頻率范圍以外的頻率進行阻斷，其中，帶通的頻率范圍為3.3GHz到4.2GHz或者帶通的頻率范圍為4.4GHz到5.0GHz；第二端口，用于輸出經諧振器網絡處理信號以后，處于帶通的頻率范圍的信號。

技術領域

本發明涉及集成電路領域，特別是涉及基于薄膜IPD技術的N77與N79帶通濾波器芯片。

背景技術

隨著現代無線通信系統的迅速發展與廣泛應用，特別在第五代移動通信技術(5ThGeneration Mobile Networks，簡稱5G技術)通信技術驅動下，濾波器在射頻模塊中的使用數量大幅增加。常規移動終端中使用的濾波器芯片的加工工藝多種，其中一種加工工藝主要有聲表面波濾波器(Surface Acoustic Wave Filters，簡稱SAW)。但是一般SAW濾波器在工作頻率上有一定局限性，當工作頻率高于約1GHz時，頻率選擇性將會降低。

SAW濾波器是利用壓電陶瓷、鈮酸鋰、石英等壓電石英晶體諧振器材料的壓電效應和聲表面波傳播的物理特性制成的一種換能式無源帶通濾波器，是一種采用石英晶體、壓電陶瓷等壓電材料，利用其壓電效應和聲表面波傳播的物理特性而制成的濾波專用器件。這種濾波器的工作頻率受到壓電效應和聲表面波傳播的物理特性的限制，通常應用在2.5GHz以下的工作頻率。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供的基于薄膜IPD技術的N77與N79帶通濾波器芯片，用以解決現有技術中濾波器的工作頻率受到壓電效應和聲表面波傳播的物理特性的限制，通常應用在2.5GHz以下的工作頻率的技術問題。具體技術方案如下：

本發明實施例提供一種基于薄膜集成無源器件IPD技術的N77與N79帶通濾波器芯片，包括：

帶通濾波器電路，以及用于承載所述帶通濾波器電路的基底層，其中，

所述帶通濾波器電路是采用薄膜集成無源器件IPD技術在所述基底層上生成的，并由第一端口、第二端口及連接于所述第一端口與所述第二端口之間諧振器網絡構成的，其中，所述諧振器網絡是由用于優化帶內回波損耗與阻帶抑制的第一類諧振器，用于控制高頻處傳輸零點位置的第二類諧振器，用于控制低頻處傳輸零點位置的第三類諧振器及用于控制通頻帶匹配的第四類諧振器構成的；

所述第一端口，用于接收輸入的信號；

所述諧振器網絡，用于對所述信號在帶通的頻率范圍以外的頻率進行阻斷，其中，所述帶通的頻率范圍為3.3GHz到4.2GHz或者所述帶通的頻率范圍為4.4GHz到5.0GHz；

所述第二端口，用于輸出經所述諧振器網絡處理所述信號以后，處于所述帶通的頻率范圍的信號。

進一步的，所述第一類諧振器為兩個第一類諧振器；

所述第二類諧振器為一個第二類諧振器；

所述第三類諧振器為一個第三類諧振器；

所述第四類諧振器為兩個第四類諧振器。

進一步的，所述兩個第一類諧振器中的一個第一類諧振器包括：第一螺旋電感及第一電容；以及所述兩個第一類諧振器中的另一個第一類諧振器包括：第二螺旋電感及第二MIM電容；

所述第二類諧振器包括：第三螺旋電感及第三MIM電容；

所述第三類諧振器包括：第四螺旋電感及第四MIM電容；