[發明專利]顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 202010237114.3 | 申請日: | 2020-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN111403464A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 千必根 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明實施例涉及顯示技術領域,公開了一種顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置,所述顯示面板具有顯示區域和非顯示區域,所述顯示面板包括:依次層疊設置的第一基板、觸控層、色阻層和硬化層,所述硬化層覆蓋所述色阻層且至少部分覆蓋所述非顯示區域。本發明提供的顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置能夠在降低顯示面板的膜層厚度的同時,提高顯示面板的彎折性能。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode)稱為有機電致發光二極管。OLED顯示技術具有全固態、主動發光、高對比度、超薄、低功耗、效應速度快、工作范圍寬、易于實現柔性顯示和3D顯示等諸多優點,使它在目前在眾多顯示屏上得到應用,例如應用于電視機和移動顯示設備上。在現有技術中,為了實現對屏體的雙面貼合,往往采用OCA光學膠將偏光膜粘接在觸控層上,然而,OCA光學膠的粘接功能并不理想,容易在OLED顯示器件彎折時產生膠體變形現象,影響了OLED顯示器件的彎折性能。
現有技術中改善OLED顯示器件彎折性能的方法有待提高,因此,有必要提供一種新的顯示面板及顯示裝置來解決上述問題。
發明內容
本發明實施方式的目的在于提供一種顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置,其能夠在降低顯示面板的膜層厚度的同時,提高顯示面板的彎折性能。
為解決上述技術問題,本發明的實施方式提供了一種顯示面板,所述顯示面板具有顯示區域和非顯示區域,所述顯示面板包括:依次層疊設置的第一基板、觸控層、色阻層和硬化層,所述硬化層覆蓋所述色阻層且至少部分覆蓋所述非顯示區域。
另外,所述顯示面板還包括擋墻,所述擋墻設置在所述非顯示區域,所述硬化層覆蓋所述擋墻。通過設置擋墻,能夠避免空氣中的水汽沿垂直于顯示面板的厚度方向的方向進入顯示面板內,從而保護顯示面板內的器件不受水汽侵蝕;由于擋墻為凸狀結構,通過設置硬化層覆蓋擋墻,能夠增大硬化層在非顯示區的覆蓋面積,從而進一步確保色阻層不會脫落,更加穩定的固定色阻層。
另外,所述擋墻包括靠近所述第一基板的底面、與所述底面相對設置的頂面,所述擋墻還包括自所述頂面向所述底面凹陷的凹槽。在顯示面板彎折時,擋墻將受到彎折外力,此時凹槽將會發生形變,從而對擋墻受到的彎折外力進行轉移,同時也能對擋墻自身受到的應力進行釋放,從而避免了顯示面板彎折過程中擋墻發生斷裂,提高了顯示面板的封裝效果。
另外,所述擋墻包括第一擋墻和第二擋墻,所述第二擋墻設置在所述第一擋墻遠離所述顯示區域的一側,且所述第二擋墻的高度大于所述第一擋墻的高度。
另外,所述顯示面板還包括第二基板,所述第二基板設置在所述色阻層和所述硬化層之間,且所述第一基板及所述第二基板均為柔性材質。
另外,所述第二基板為圖形化基板,所述圖形化基板的形狀與所述色阻層的形狀相同。
另外,所述色阻層包括多個色阻單元以及黑色矩陣,所述黑色矩陣設置在相鄰所述色阻單元之間。
另外,所述色阻單元包括遠離所述觸控層的入光面,所述入光面為凹面。通過此種結構的設置,能夠增大外界光穿透色阻單元之后的入射角,促使大部分光線發生反射后能夠更多的被黑色矩陣所吸收,進而降低色阻層表面的反射率,提高顯示面板的對比度。
本發明的實施方式還提供了一種顯示面板的制備方法,包括:在第一基板上形成觸控層,其中,所述第一基板包括第一區域和第二區域,所述觸控層位于所述第一區域內;在所述觸控層遠離所述第一基板的一側形成色阻層;在所述色阻層遠離所述觸控層的一側形成硬化層,其中,所述硬化層至少部分覆蓋所述第二區域。
本發明的實施方式還提供了一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





